ARM和TSMC簽署65納米和45納米技術的物理IP長期協(xié)議

　　ARM公司和臺灣積體電路制造股份有限公司簽署協(xié)議把公司的長期合作關系擴展至開發(fā)一套全新的ARM® Advantage™產(chǎn)品，該產(chǎn)品是Artisan®物理IP系列產(chǎn)品的一部分，用來支持TSMC的65納米和45納米工藝。通過該協(xié)議，用戶可以從ARM Access Library Program獲得針對TSMC先進技術的ARM Advantage產(chǎn)品。 　　  


　　ARM Advantage IP提供高速、低功耗的性能表現(xiàn)，滿足消費電子、通訊和網(wǎng)絡市場眾多應用的需求。Advantage標準單元包括功耗管理工具包，實現(xiàn)動態(tài)和漏泄功耗節(jié)省技術，例如時鐘門控、多電壓分離和電能門控等。它還提供五個Advantage存儲編譯器，提供相似的高級功耗節(jié)省特性。該產(chǎn)品套件在擴展了的電壓范圍內(nèi)對時鐘和功耗作了特殊設置，使得設計師可以完成多電壓設計的精確模擬。此外，ARM還將發(fā)布TSMC Nexsys I/O產(chǎn)品，從而提供完整的物理IP。 


　　Advantage IP包含了ARM廣泛的views和模型集，提供了與眾多業(yè)界領先的EDA工具的整合。這些views在廣泛的運行條件下可以為Advantage產(chǎn)品提供功能、時鐘和功耗信息，使得設計師可以在SoC中實現(xiàn)能夠積極控制動態(tài)和漏泄功耗的復雜功耗管理系統(tǒng)。 


　　TSMC 65納米技術的成功是建立在其業(yè)界領先的0.13微米和90納米技術的基礎上。TSMC預計2006年65納米產(chǎn)品將會有一個爆發(fā)式的增長。公司每2個月會啟動65納米的原型驗證試驗線，幫助客戶和EDA、IP和庫供應商就他們的尖端設計進行原型試驗和驗證。 


　　TSMC 65納米NexsysSM技術是其同時采用了銅互連和low-k絕緣技術的第三代半導體工藝。它是一個9層金屬工藝，核電壓1.0或1.2伏，I/O電壓1.8，2.5或3.3伏。與TSMC現(xiàn)有的90nm Nexsys工藝相比，這項新工藝技術可以將使標準單元門的密度翻倍。它同時還有很具競爭力的六晶體靜態(tài)隨機存取記憶體(6T SRAM)和單晶體嵌入式靜態(tài)隨機存取記憶體（1T embedded DRAM）這兩種存儲單元尺寸。此外，該技術還包括支持模擬和無線設計的混合信號和無線電頻率功能，支持邏輯和存儲整合的嵌入式高密度存儲，以及支持客戶加密需求的電子保險絲選項功能。