無(wú)線手持產(chǎn)品過(guò)去的經(jīng)驗(yàn)法則

　　天線的阻抗為50歐姆，天線軌跡的末端被折出一個(gè)與IC封裝寬度大致相等的寬度。天線的放置及其與外接元件的布置如圖5所示。兩個(gè)雙通道運(yùn)算放大器ISL28291的差分增益均設(shè)置為10，使兩個(gè)輸入端的阻抗相同。通道“A”所接電阻器的阻值為5k/500歐姆，通道“B”所接電阻器的阻值高出兩個(gè)數(shù)量級(jí)，為500k/50k。

　　圖4. 評(píng)估近場(chǎng)干擾中的天線位置

　　圖5. 天線在DIE上面的定位及用于通道A & B的運(yùn)算放大器圖解

　　注：

　　l Antenna Probe position：天線探針的位置

　　使用100kHz至6GHz的頻率進(jìn)行掃頻測(cè)量，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，干擾集中發(fā)生在1.4至2.8GHz和3.8至5 GHz兩個(gè)頻率區(qū)間，如圖7所示。掃描期間的天線位置如圖6右下側(cè)所示。請(qǐng)注意，在初始掃描期間，天線直接放置在元件封裝的上方。在隨后的測(cè)試中，采用了上述干擾集中發(fā)生的頻率區(qū)間內(nèi)的單一載波頻率，結(jié)果如下：

　　1. 較高的反饋電阻阻值與較低的反饋電阻阻值：將天線直接放置在阻值較高的電阻器上面時(shí)，所產(chǎn)生干擾的水平低于放置在較低阻值電阻器上面時(shí)所產(chǎn)生的干擾。頻率越高，干擾越低。這一觀測(cè)結(jié)果與以前Ghadamabadi報(bào)告的結(jié)果一致[5]。對(duì)于這兩組電阻器，將天線放置在IC上面所產(chǎn)生干擾均為最低。

　　2. 使用RFI電容：將天線直接放置在阻值較高的電阻器上面時(shí)，所產(chǎn)生的干擾低于放置在較低阻值電阻器上面時(shí)所產(chǎn)生的干擾。頻率越高，干擾越低。這一觀測(cè)結(jié)果與以前Ghadamabadi報(bào)告的結(jié)果一致[6]。但是，將天線直接放置在IC封裝上面卻在兩個(gè)放大器的輸出端均產(chǎn)生了較高水平的干擾，與電阻器阻值無(wú)關(guān)。圖6顯示了遠(yuǎn)場(chǎng)天線和近場(chǎng)天線各自的信號(hào)傳遞路徑。在遠(yuǎn)場(chǎng)天線情況下，電纜、PCB線路和外接元件的串聯(lián)電阻與RFI電容一起組成低通濾波器。在這種情況下，使用RFI電容(RFI　cap)這一經(jīng)驗(yàn)法則是有效的，因?yàn)槭褂肦FI電容可以在RF信號(hào)進(jìn)入運(yùn)放大器之前就將其消除。對(duì)于近場(chǎng)天線，由于幾乎沒(méi)有電阻可以用來(lái)構(gòu)成低通濾波器，RFI電容實(shí)際上會(huì)在運(yùn)放輸出端產(chǎn)生較大的干擾。