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          Ramtron宣布提供高速串口F-RAM器件樣片 
          
						
          
				作者：
				時間：2011-10-27
				來源：電子產(chǎn)品世界
				
				
				
				
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          　　世界領先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產(chǎn)品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)宣布提供全新4-至64Kb串口非易失性鐵電 RAM (F-RAM)存儲器的預認證樣片，新產(chǎn)品采用Ramtron全新美國晶圓供應商的鐵電存儲器工藝制造，具有1萬次 (1e12)的讀/寫循環(huán)、低功耗和無延遲(NoDelay )寫入特性。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/125115.htm

          　　FM25040C、FM25C160C和FM25640C分別是 4、16和 64Kb F-RAM存儲器，能夠以高達20MHz的總線速度進行寫操作，具有行業(yè)標準串行外設接口(SPI)。F-RAM存儲器陣列在接收到數(shù)據(jù)后，立即將數(shù)據(jù)寫入存儲器，不同于需要數(shù)據(jù)輪詢的EEPROM和其它非易失性存儲器，F(xiàn)-RAM存儲器可以立即開始下一個總線周期，這些特性使得Ramtron最新的串口F-RAM存儲器非常適合需要頻繁和快速寫入的非易失性存儲器應用，包括工業(yè)控制和高速數(shù)據(jù)采集等應用。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關鍵詞：
            			            Ramtron
                        F-RAM存儲器
                        
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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