上?！胺且资源鎯?chǔ)器”研究躋身國(guó)際先進(jìn)水平

　　“非易失性存儲(chǔ)器”作為新一代國(guó)際公認(rèn)存儲(chǔ)技術(shù)，越來越受到世界各國(guó)高度重視。從7日在滬召開的第十一屆非易失性存儲(chǔ)器國(guó)際研討會(huì)上獲悉，上海在這一領(lǐng)域的研究已躋身國(guó)際先進(jìn)水平。

　　與易失性存儲(chǔ)器相比，非易失性存儲(chǔ)器具有高速、高密度、可微縮、低功耗、抗輻射、斷電后仍然能夠保持?jǐn)?shù)據(jù)等諸多優(yōu)點(diǎn)。隨著技術(shù)發(fā)展，非易失性存儲(chǔ)器分為相變存儲(chǔ)器、磁性存儲(chǔ)器、電阻式存儲(chǔ)器、鐵電存儲(chǔ)器等諸多類型。

　　中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)所、中芯國(guó)際、micro-chip是產(chǎn)學(xué)研結(jié)合的團(tuán)隊(duì)，一直致力于研究我國(guó)自主的相變存儲(chǔ)芯片和存儲(chǔ)產(chǎn)品。

　　據(jù)中科院上海微系統(tǒng)所宋志棠研究員介紹，由上海微系統(tǒng)所、中芯國(guó)際和micro-chip組成的聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì)在相變存儲(chǔ)器芯片的工程化研究方面已經(jīng)取得突破性進(jìn)展，研制出8Mb測(cè)試芯片，并實(shí)現(xiàn)全部存儲(chǔ)功能，8英寸整片Bit優(yōu)良率超過99%，開發(fā)出自主IP的雙溝道隔離二極管陣列，成功實(shí)現(xiàn)了工藝集成和相關(guān)功能的演示，并建立了8英寸整片測(cè)試系統(tǒng)。

　　在此基礎(chǔ)上，上海微系統(tǒng)所與中芯國(guó)際建立了12英寸專用PCRAM平臺(tái)。12英寸40納米相變存儲(chǔ)器的產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)也取得了重要進(jìn)展，完成了第一版芯片的設(shè)計(jì)，并進(jìn)入關(guān)鍵的工藝開發(fā);初步完成了尺寸為60-70納米的相變材料填充和拋光、刻蝕等單項(xiàng)工藝開發(fā)。

　　第十一屆非易失性存儲(chǔ)器國(guó)際研討會(huì)由國(guó)際電子電氣工程師學(xué)會(huì)主辦，中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所和新加坡數(shù)據(jù)存儲(chǔ)研究院共同承辦，是國(guó)際非易失性存儲(chǔ)器領(lǐng)域第一次在中國(guó)召開的權(quán)威會(huì)議。來自美國(guó)、法國(guó)、德國(guó)、西班牙、俄羅斯等10個(gè)國(guó)家和地區(qū)200多位專家學(xué)者和業(yè)內(nèi)人士參加了此次會(huì)議。在為期三天的會(huì)議期間將舉行10場(chǎng)大會(huì)報(bào)告和交流報(bào)告，圍繞非易失性存儲(chǔ)器領(lǐng)域的最新發(fā)展進(jìn)行學(xué)術(shù)交流和研討。