剖開(kāi)方能知根底 國(guó)產(chǎn)旗艦平板拆解對(duì)比
內(nèi)存對(duì)比
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/126269.htmSmartQ 智器 T10 主板走線
SmartQ 智器 T10 SCSemicon華芯半導(dǎo)體DDR2內(nèi)存顆粒(共512MB)
艾諾 NOVO8 領(lǐng)先版 主板走線
艾諾 NOVO8 領(lǐng)先版 Hynix DDR2內(nèi)存芯片 4顆共512MB
左側(cè)的兩枚三星芯片是臺(tái)電T760的內(nèi)存芯片,規(guī)格為512MB DDR3
SmartQ智器T10采用SCSemicon華芯半導(dǎo)體DDR2內(nèi)存顆粒,共512MB;艾諾NOVO8領(lǐng)先版采用Hynix DDR2內(nèi)存芯片,4顆共512MB;臺(tái)電T760采用兩枚三星DDR3內(nèi)存芯片,規(guī)格為512MB。
評(píng)論