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          Diodes推出新型P通道MOSFET
          
						
          —— 以更小巧封裝提高效率
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2011-12-12
				來(lái)源：電子產(chǎn)品世界
				
				
				
				
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          　　Diodes公司推出微型12V P通道強(qiáng)化型MOSFET——DMP1245UFCL，有助提升電池效率及減少電路板空間，并滿足空間局限的便攜式產(chǎn)品設(shè)計(jì)要求，如智能手機(jī)及平板計(jì)算機(jī)等。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/126873.htm

          　　這款新MOSFET采用超精密及高熱效率的DFN1616封裝，并具有極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 特性，能將傳導(dǎo)損耗降至最低水平，從而延長(zhǎng)電池壽命。例如在VGS為4.5V的條件下，該MOSFET的導(dǎo)通電阻僅為29mΩ，這比其最接近的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻性能還要優(yōu)越15%，有利于電源中斷及一般負(fù)載開關(guān)的應(yīng)用。
          

          　　DFN1616的標(biāo)準(zhǔn)離板剖面為0.5毫米，比其對(duì)手的產(chǎn)品薄20%，并只占2.56平方毫米的印刷電路板面積 (PCB)，比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手同類型2毫米乘2毫米的較大封裝節(jié)省55%的空間。
          

          　　同時(shí)，DMP1245UFCL為用戶提供防靜電放電 (ESD) 的增強(qiáng)保護(hù)。該MOSFET的額定閘極保護(hù)為3kV，比同類產(chǎn)品高出50%，因此對(duì)人為產(chǎn)生的靜電放電所造成的影響有很強(qiáng)的抵御作用。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            Diodes
                        MOSFET
                        DMP1245UFCL
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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