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          2.5D封裝+28nm,F(xiàn)PGA迎來革命性突破

          作者:邵樂峰 時間:2011-12-21 來源:電子工程專輯 收藏

            68億只晶體管、1,954,560個邏輯單元(容量相當(dāng)于市場同類最大28nm FPGA的兩倍)、305,400個CLB切片的可配置邏輯塊(CLB)、21,550Kb的分布式RAM容量、以及2,160個DSP slice、46,512個BRAM、24個時鐘管理模塊、4個PCIe模塊、36個GTX收發(fā)器(每個性能達(dá)12.5 Gbps)、24個I/O bank和1,200個用戶I/O、19W功耗……是的,您沒有看錯,這一連串令人眼花繚亂的數(shù)字,就是(Xilinx)日前宣布可正式供貨的“世界最大容量”Virtex-7 2000T為我們呈現(xiàn)出的令人震撼的性能指標(biāo)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/127251.htm

            2010年10月,Xilinx高調(diào)宣布推出業(yè)界首項堆疊硅片互聯(lián)技術(shù)(SSI,Stack Silicon Interconnect)。該公司全球高級副總裁兼亞太區(qū)執(zhí)行總裁湯立人強調(diào)說,之前曾有廠商試圖通過將兩個或多個FPGA進行邏輯互聯(lián),創(chuàng)建出更大型的“虛擬FPGA”,最終實現(xiàn)復(fù)雜設(shè)計。但往往由于可用I/O數(shù)量有限,再加之FPGA間信號傳輸造成的時延限制性能,以及使用標(biāo)準(zhǔn)的器件I/O來創(chuàng)建多個FPGA之間的邏輯連接增加功耗等因素,這些努力都宣告失敗。而SSI技術(shù)的核心則來自于專利的ASMBL架構(gòu)、微凸塊技術(shù)以及TSMC的硅通孔(TSV)技術(shù)。

            2.5D SSI的主要技術(shù)突破

            Virtex-7 2000T是Xilinx采用臺積電(TSMC)28nm HPL工藝(低功耗高介電層金屬閘技術(shù))推出的第三款FPGA。更重要的是,這將是“世界上第一個采用SSI技術(shù)的商用FPGA”。方面將該項技術(shù)命名為2.5D SSI。湯立人堅持認(rèn)為,2.5D并不意味著就比傳統(tǒng)意義上的3D封裝性能差。事實上,如果將邏輯單元與內(nèi)存進行垂直堆疊(Vertical Stacking),也就是所謂的3D封裝,現(xiàn)在面臨著散熱、RAM/Logic等有源層之間因為膨脹系數(shù)不同,導(dǎo)致內(nèi)部應(yīng)力不均,影響晶體管性能等多項重要挑戰(zhàn)。“賽靈思同樣看好不帶中介層的完全3D IC堆疊技術(shù)前景,但從目前來看,該技術(shù)在整個產(chǎn)業(yè)中實現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)化還要花更長的時間。”

            “我們的2.5D SSI結(jié)構(gòu)采用并排式芯片布局,將4個經(jīng)ASMBL架構(gòu)優(yōu)化的Slice并排排列在硅中介層上,Slice之間擁有超過10,000個過孔走線,時延僅為1納秒。然后再通過微凸塊將硅片連接至硅中介層。”湯立人進一步解釋說,“由于采用的是大量低延時、芯片間互連,并連接至球形柵格陣列,從而也避免了垂直硅片堆疊方法出現(xiàn)的熱通量和設(shè)計工具流問題。”

            幾項關(guān)鍵技術(shù)中,賽靈思專有的ASMBL架構(gòu)是實現(xiàn)SSI技術(shù)的基礎(chǔ)。在該基礎(chǔ)之上,賽靈思又進行了三項重大改進:首先,每個芯片Slice接收自己的時鐘和配置電路;其次,對走線架構(gòu)進行了改進,通過對芯片進行表面鈍化處理,實現(xiàn)了FPGA邏輯陣列內(nèi)部布線資源的直接連接,繞開了傳統(tǒng)的并行和串行I/O電路;最后,對每個芯片Slice進行進一步加工,形成微凸塊,以便將芯片連接到硅基片上。與采用傳統(tǒng)I/O相比,正是這項創(chuàng)新使連接的數(shù)量大幅增加,同時又顯著降低了時延和功耗(與標(biāo)準(zhǔn)I/O相比,單位功耗芯片間連接功能可提高約100倍)。

            來自TSMC的無源硅中介層也功不可沒。湯立人介紹說,硅中介層最初是針對各種芯片堆疊設(shè)計方法而開發(fā)的,相當(dāng)于硅片中一種微型電路板,其上并行放置多個芯片并相互連接。與有機或者陶瓷基片相比,硅中介層能夠提供更好的互聯(lián)幾何構(gòu)造(走線間距可縮小約20倍),以提供器件規(guī)模的互聯(lián)層級,實現(xiàn)超過1萬條芯片間連接。

            通過結(jié)合使用硅通孔技術(shù)與受控的塌落芯片連接(C4)焊錫凸塊,賽靈思得以將FPGA/中介層堆疊用倒裝片組裝技術(shù)貼裝到高性能封裝基片上。這種大節(jié)距硅通孔為并行和串行I/O,電源/接地、時鐘、配置信號等提供了封裝和FPGA之間的連接。



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