ST推出20A和30A功率場效應MOS晶體管

第一批采用SO8尺寸的PolarPAK™ 封裝的IC，
有助于大電流DC-DC轉換器提高功率密度和可靠性

意法半導體（紐約證券交易所代碼： STM）推出了該公司第一批采用頂置金屬片的PolarPAK® 封裝的功率IC，這種封裝有助于大電流電源組件實現(xiàn)優(yōu)異的熱性能和更高的功率密度。新的STK800和STK850分別是20A和30A的功率場效應MOS晶體管，占板面積與SO-8封裝相同，僅為5mm x 6mm。因為頂部和底部都有散熱通道，所以封裝的高度更低，只有0.8mm高。

ST和Siliconix公司于2005年3月簽訂一項使用PolarPAK®技術的許可協(xié)議。新封裝的引線框架和塑料封裝與大多數(shù)標準功率場效應MOS晶體管使用的封裝相似，具有優(yōu)良的裸片保護功能，在制造過程中拾放芯片十分容易。然而與標準的SO-8封裝相比，PolarPAK的散熱效率更加出色，在相同的占板面積下，比SO-8封裝處理的電流高一倍。.

新器件采用ST最新優(yōu)化的STripFET™制造技術，在更小的芯片面積上取得了更低的通態(tài)電阻和功耗，這項技術是以大幅度提高單元密度和降低單元線寬為基礎的。在10V時，20A STK800的典型RDS(on) 是6.0毫歐，30A STK850是2.9毫歐。結到外殼熱阻極低和結溫較低的特性是降低兩款MOSFET的通態(tài)電阻的主要因素。

電容低和柵電荷總量低使STK800成為非隔離型直流-直流降壓轉換器的控制FET的理想選擇，同時極低的RDS(on)電阻使STK850成為一個優(yōu)秀的同步FET解決方案。較低的工作溫度有助于提高能效和使用壽命的可靠性。新的封裝加強了裸片保護，提高了制造過程中芯片拾放的便利性，并兼容現(xiàn)有的SMD組裝設備。新器件的多個貨源確?？蛻舨少彽撵`活性。