2011年度存儲市場總結(jié)

        2011年，存儲行業(yè)經(jīng)歷了幾大重要事件：日本地震引起閃存漲價、泰國洪水引起整個DIY產(chǎn)業(yè)的震動、單碟1TB硬盤技術(shù)正式面世、USB3.0產(chǎn)品強勢出擊、藍光3D技術(shù)應用產(chǎn)品上市等，都給2011年的存儲行業(yè)帶來了不小的變化。

　　●2011年度存儲行業(yè)五大關(guān)鍵詞總結(jié)

　　★硬盤行業(yè)：并購、漲價

　　2011年3月8日，西數(shù)重金收購日立硬盤業(yè)務。誰會想到三天之后，日本遭遇“3.11”特大地震，日立硬盤生產(chǎn)遭受一定損失，西數(shù)出師未捷首遭厄運。后來遭遇歐盟反壟斷方面不同意，收購被擱淺。隨后遭遇泰國特大洪水，硬盤價格猛漲，假盤、翻新盤一度擾亂市場，整個硬盤行業(yè)受到重創(chuàng)。終于在上個月收購項目完畢，卻被逼出手3.5英寸硬盤業(yè)務，可謂一波三折。相反，希捷收購三星硬盤業(yè)務相當順利。如今這兩次并購都已完畢，硬盤行業(yè)競爭更加激烈。

　　硬盤陷收購門 固態(tài)硬盤離我們有多遠

　　泰國洪水導致硬盤價格猛漲，讓消費者望而卻步。自漲價以來，1TB硬盤已經(jīng)從380元漲到如今的800元以上，漲幅讓人震驚。面對漲價，代理商與廠商之間、渠道與經(jīng)銷商之間引起的明爭暗斗也是價格一度混亂，貨源緊缺，瘋狂上漲。

　　也正因為機械硬盤漲價，固態(tài)硬盤找到了發(fā)展的光明大道，開始大展拳腳。

　　★內(nèi)存行業(yè)：虧損

　　與硬盤相反，內(nèi)存價格一跌再跌，慘不忍睹，很多商家處于虧損狀態(tài)。單條4GB內(nèi)存曾跌破100元，真到了“白菜價”，引起了不少囤貨炒家的興趣，結(jié)果到現(xiàn)在內(nèi)存價格也沒漲上去，很多人都很失望。對消費者來說，卻是件大好事。攢機用戶可以便宜升級到雙通道8GB內(nèi)存，心里樂開了花。為了得到更多關(guān)注，消費級單條8GB內(nèi)存也正式進入市場。

　　內(nèi)存=白菜？實測插滿16GB性能更給力

　　★移動存儲行業(yè)：殺價

　　USB3.0是2011年度移動存儲重頭戲，關(guān)注焦點。由于大量USB3.0產(chǎn)品進入市場，USB2.0產(chǎn)品一度殺價，16GB USB2.0優(yōu)盤普遍99元，降幅很大。由于各品牌之間的競爭非常大，價格成為吸引消費者的重要因素。相比2010年，USB3.0存儲產(chǎn)品價格也不再那么高高在上。

　　也正是因為移動存儲產(chǎn)品價格下調(diào)，在硬盤漲價的時候顯得性價比更高，給自己贏得了更多關(guān)注與銷量。

　　★光存儲行業(yè)：淘汰

　　傳統(tǒng)光驅(qū)產(chǎn)品的很多功能都可以通過別的存儲工具來實現(xiàn)，使得光存儲市場被擠占，覆蓋面越來越小。為了在這狹小的空間中尋求發(fā)展，華碩率先開展了藍光技術(shù)戰(zhàn)略計劃，給消費者帶來不一樣的光驅(qū)使用感受。

　　●2011年度存儲市場總結(jié)

　　★內(nèi)存硬盤風波不平

　　縱觀2011年的存儲行業(yè)，大事不斷。在《觸目驚心 2011年度存儲10大事件盤點》一文中進行了詳細闡述。年底了，給我們留下印象最深的是：內(nèi)存硬盤風波不斷。內(nèi)存方面由于受到工藝提升、需求銳減的影響，供應嚴重大于需求，價格一次次的跌破廠商心理價位，最終2011年單條4GB價格跌破百元關(guān)口。硬盤方面受到日本地震、泰國洪水的影響，價格暴漲近2倍，讓慘淡的存儲市場雪上加霜。

　　★固態(tài)硬盤迎來發(fā)展契機

　　由于泰國洪水影響，機械硬盤價格成倍上漲，讓消費者望而卻步。相反的，HDD性價比下降凸顯了固態(tài)硬盤的優(yōu)勢。固態(tài)硬盤商家也趁熱打鐵推出不少促銷優(yōu)惠活動，很多消費者都開始關(guān)注小容量SSD，已經(jīng)正式將SSD納入裝機選擇范圍。

　　★USB3.0大展拳腳

　　2011年USB3.0有了突破性發(fā)展。各廠商、代理商、經(jīng)銷商加大生產(chǎn)力度，從技術(shù)上、宣傳方式等方面加大推廣力度。在如此激烈的競爭之下，USB3.0存儲層出不窮，價格也越來越有誘惑力。

　　●2012年存儲市場展望

　　展望2012年的存儲市場，我們?nèi)匀缓芏嗟钠诖?。第一就是由于硬盤嚴重缺貨，可能到明年年末都無法恢復正常的供應，那么虛高的價格會分流很大一部分用戶去選擇固態(tài)硬盤，而且隨著SSD硬盤的工藝也在提升，成本也會相應減少，那么明年一定是SSD硬盤的爆發(fā)之年;

　　第二就是由于內(nèi)存價格不斷走低，DRAM廠商均在拼技術(shù)，工藝越高成本越低，所以明年的512*8顆粒會批量生產(chǎn)，那么單條8GB也會取代今年的單條4GB成為主流。所以可以預見，明年2012年將會是速度和容量爆發(fā)之年，使存儲變得更加輕松和容易。

　　第三是USB3.0移動存儲徹底爆發(fā)。在2011年，移動硬盤方面也受到了硬盤漲價的影響，價格至今未歸位，這讓關(guān)注大容量存儲的消費者更加期待2012年的發(fā)展。如今USB3.0移動硬盤最新實際拷貝速度已經(jīng)達到100MB/S以上，希望在2012年有更多這樣強勁性能的產(chǎn)品出現(xiàn)，同時性價比更高。