后DRAM時(shí)代 核心技術(shù)/應(yīng)用是生存關(guān)鍵

　　標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)業(yè)經(jīng)營(yíng)環(huán)境陷入困境，就連龍頭大廠三星電子擁有市占率與技術(shù)的優(yōu)勢(shì)下，也直喊很辛苦。研究機(jī)構(gòu)集邦科技認(rèn)為，今年DRAM市場(chǎng)的發(fā)展將出現(xiàn)重大變革，除核心技術(shù)仍將攸關(guān)獲利表現(xiàn)之外，產(chǎn)品應(yīng)用是否能搭上產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)趨勢(shì)，也是持續(xù)生存下去的關(guān)鍵。

　　綜觀過(guò)去整體DRAM市場(chǎng)的獲利關(guān)鍵，幾乎取決于產(chǎn)能的擴(kuò)充與制程不斷的再精進(jìn)，從早期的90nm、65nm制程至今已來(lái)到30nm、甚至20nm制程，制程的微縮雖使成本持續(xù)下降，但同時(shí)伴隨著是顆粒數(shù)的高成長(zhǎng)，加上近年P(guān)C出貨年成長(zhǎng)已大幅趨緩，記憶體搭載容量亦失成長(zhǎng)動(dòng)能，DRAM產(chǎn)業(yè)在需求力道不再?gòu)?qiáng)勁的影響之下，不但獲利難度越來(lái)越高，制程微縮的動(dòng)作甚至遠(yuǎn)跟不上跌價(jià)的速度。

　　集邦科技認(rèn)為，2012年DRAM市場(chǎng)的發(fā)展將會(huì)產(chǎn)生重大的變革。首先，DRAM產(chǎn)能的擴(kuò)充將漸趨理性，加上轉(zhuǎn)進(jìn)20nm難度極高，且需要高額的資本支出購(gòu)買EUV等先進(jìn)機(jī)臺(tái)，即使龍頭三星半導(dǎo)體亦不得不在制程精進(jìn)上放慢腳步。

　　另外，集邦科技預(yù)估，今年整體DRAM的年供給位元成長(zhǎng)率僅有22%，較數(shù)年前動(dòng)輒50%的年成長(zhǎng)已大幅趨緩，不幸的是，供給位元的減緩并不足以代表整體DRAM產(chǎn)業(yè)供過(guò)于求的頹勢(shì)能夠獲得紓解。

　　這也代表著，各DRAM廠獲利的關(guān)鍵必須轉(zhuǎn)向核心技術(shù)開(kāi)發(fā)能力再作競(jìng)爭(zhēng)，例如隨著智慧型手機(jī)與平板電腦的興起，帶動(dòng)行動(dòng)式記憶體的需求，如已在2011年第四季成為行動(dòng)式記憶體出貨主流LPDDR2，或者是今年下半年即將量產(chǎn)的LPDDR3，甚至是Wide-IO與LPDDR4，能夠擁有核心技術(shù)的DRAM廠便是獲利贏家。

　　同時(shí)，云端需求的興起亦使原本深耕于伺服器記憶體的DRAM廠獲益，DDR3的4Gb-Mono顆粒成為另一個(gè)獲利指標(biāo)。另外，在標(biāo)準(zhǔn)型DRAM上面，今年亦有許多產(chǎn)品以DDR3為基礎(chǔ)上再進(jìn)化，如著眼于Ultrabook的興起，為了精進(jìn)省電效能以延長(zhǎng)使用時(shí)效，廠商已開(kāi)發(fā)出低電壓版的DDR3L，在省電機(jī)制的強(qiáng)化上亦發(fā)展出DDR3M的產(chǎn)品，亦有廠商考慮將GDDR導(dǎo)入標(biāo)準(zhǔn)型記憶體中，在繪圖上與游戲上可以有比標(biāo)準(zhǔn)型記憶體更佳的表現(xiàn)。

　　DRAM廠在后續(xù)的獲利競(jìng)賽仍有一番激烈競(jìng)逐，落后者勢(shì)必逐漸將產(chǎn)能退出，在擁有核心技術(shù)力的DRAM廠才有機(jī)會(huì)在后續(xù)市場(chǎng)中持續(xù)獲利與生存。