安森美提供家庭音視頻、電源管理和電路保護(hù)方案

　　開(kāi)關(guān)控制器和穩(wěn)壓器

　　安森美半導(dǎo)體的開(kāi)關(guān)控制器的關(guān)鍵特性包括寬輸入電壓范圍、緩沖的外部高于1.25 V的電壓參考、電源良好+啟用/禁用引腳、外部同步和輸出過(guò)壓和欠壓保護(hù)。根據(jù)型號(hào)不同，具有支持短路保護(hù)、高輕載能效、斷續(xù)(hiccup)模式過(guò)流保護(hù)、雙輸出、無(wú)需補(bǔ)償、PG/EN/SYNC功能、使用陶瓷輸出電容、高開(kāi)關(guān)頻率、降壓/升壓/正前/反激、支持小PCB面積、支持隔離、PoE應(yīng)用、集成開(kāi)關(guān)等特性。

　　線性和開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓分為電流<1A和5A兩類(lèi)，還有< 5A的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，器件型號(hào)有數(shù)十種之多，適用于不同電流等級(jí)的應(yīng)用。

　　電壓監(jiān)控器、整流器、電壓參考和電位計(jì)

　　安森美半導(dǎo)體的電壓監(jiān)控器有近30款產(chǎn)品，具有最低的靜態(tài)電流，可延長(zhǎng)電池壽命;大電壓閾值，以及寬工作電壓范圍，最高可達(dá)10 V。

　　初級(jí)側(cè)、次級(jí)側(cè)及負(fù)載點(diǎn)整流器包括：輸入/初級(jí)側(cè)整流超快器件、輸出/次級(jí)側(cè)側(cè)整流肖特基和超快器件，以及負(fù)載點(diǎn)整流肖特基器件。

　　電壓參考器件的主要特點(diǎn)是提供從0.9 V至2.5 V的精確參考電壓、從0.4%至3%的嚴(yán)格的電壓容差、輸出電壓范圍高達(dá)36 V，以及時(shí)間和溫度范圍的低動(dòng)態(tài)阻抗、低噪聲和穩(wěn)定運(yùn)行。根據(jù)型號(hào)，電壓參考分為可調(diào)和固定兩種。

　　用于調(diào)整和校準(zhǔn)的數(shù)字可編程電位計(jì)不會(huì)隨時(shí)間或溫度漂移，也不會(huì)因機(jī)械應(yīng)力或沖擊而變化，系統(tǒng)可以實(shí)時(shí)在應(yīng)用現(xiàn)場(chǎng)校準(zhǔn)，廣泛的產(chǎn)品組合便于選擇最佳數(shù)量電位(pot)和抽頭(tap)的電位計(jì)。

　　I/O擴(kuò)展器、配置/校準(zhǔn)存儲(chǔ)器和時(shí)鐘

　　安森美半導(dǎo)體的級(jí)聯(lián)I/O擴(kuò)展器采用I2C和SMBus接口和1 MHz的SCL時(shí)鐘頻率，具有30 mA SDA灌電流能力，可用于背板系統(tǒng)等應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)鍵盤(pán)控制、溫度控制、熱插拔控制等功能。

        用于配置和校準(zhǔn)的EEPROM具有1 KB至1 MB的可用密度，采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)串行協(xié)議(I2C、SPI、Microwire)，寬工作電壓范圍為1.8 V/1.7 V至5.5 V，編程/擦除次數(shù)超過(guò)100萬(wàn)次，具有工業(yè)和擴(kuò)展溫度范圍以及豐富的封裝，加上用戶友好的便攜式編程工具EasyPRO?使安森美半導(dǎo)體的EEPROM成為了最佳的選擇。

　　在需要時(shí)鐘產(chǎn)生與分配的應(yīng)用中，可編程PLL時(shí)鐘能夠以一個(gè)器件滿足所有時(shí)鐘樹(shù)要求，用一個(gè)多PLL可編程時(shí)鐘即可取代所有時(shí)鐘接口，并能夠通過(guò)軟件編程新的時(shí)鐘配置來(lái)保持時(shí)鐘架構(gòu)的靈活性。安森美半導(dǎo)體的主要器件包括時(shí)鐘乘法器NB3N3020、單PLL I2C器件(FS7140、FS7145)，以及三PLL I2C EEPROM(FS6370、FS6377)。

　　采用集成LDO的NB3RL02時(shí)鐘緩沖器具有許多關(guān)鍵特性：低工作噪聲(在10 kHz時(shí)為-149 dBc/Hz的偏移相位噪聲);0.37 ps(均方根)輸出抖動(dòng);限制的輸出擺率可降低EMI(10-50 pF負(fù)載的上升/下降時(shí)間為1至5 ns);提供穩(wěn)壓的1.8 V外部I/O電源;ESD性能超過(guò)JESD 22(如2,000 V人體模型、200 V機(jī)器模型、1,000 V充電器件模型)。NB3RL02有兩路CMOS輸出時(shí)鐘請(qǐng)求線。需要TCXO時(shí)鐘的系統(tǒng)可從NB3RL02請(qǐng)求時(shí)鐘，NB3RL02也可以為T(mén)CXO供電和提供所請(qǐng)求的時(shí)鐘。采用NB3RL02可減少多個(gè)TCXO的成本。

　　用于電源系統(tǒng)的EMI方案

　　P6P82PS01A可配合PWM控制器抑制EMI，其主要特點(diǎn)包括：可無(wú)縫集成到現(xiàn)有的電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)當(dāng)中，調(diào)節(jié)PWM控制器的現(xiàn)有RT或RT/CT節(jié)點(diǎn)阻抗，以減少電磁干擾;用戶可選擇控制關(guān)鍵擴(kuò)頻參數(shù)，以最有效降低EMI，實(shí)現(xiàn)靈活控制，確保不影響電壓紋波和高效率等關(guān)鍵性能指標(biāo);降低整個(gè)頻譜EMI達(dá)4至10 dB;減少或消除笨重昂貴的輸入EMI電容。

　　P3P85R01A是以太網(wǎng)應(yīng)用MII接口有源EMI解決方案，可降低1倍LVCMOS峰值EMI，輸入頻率范圍為75-200 MHz，輸出頻率范圍75-200 MHz;PLL旁路模式頻率范圍為100 Hz-200 MHz;另外還有模擬偏差選擇、模擬輸入輸出延遲控制、模擬PLL輸出延遲控制等功能。

　　P2042A是擴(kuò)頻用有源EMI抑制器件，可提供高達(dá)15 dB的EMI抑制;生成1倍低EMI擴(kuò)頻時(shí)鐘輸出;30-110 MHz輸入/輸出頻率范圍;可優(yōu)化為32.5、54、65、74和108 MHz像素時(shí)鐘頻率;內(nèi)部環(huán)路濾波可最大限度減少外部元件和電路板空間;支持大多數(shù)移動(dòng)圖形加速器和LCD時(shí)序控制器規(guī)格。

　　在機(jī)頂盒的DDR存儲(chǔ)器EMI抑制應(yīng)用中，使用P3P816711A可降低1倍LVCMOS峰值EMI，可30 MHz的輸入?yún)⒖紩r(shí)鐘，并提供30 MHz ± 0.3%輸出時(shí)鐘。

　　微控制器、數(shù)字固件和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

　　安森美半導(dǎo)體還為家庭娛樂(lè)應(yīng)用提供專(zhuān)業(yè)的超低功耗微控制器。這些器件具有超低消耗電流，在待機(jī)模式下低至0.02 μA，時(shí)鐘計(jì)數(shù)模式下低至0.33 μA，正常模式下低至4 mA;1.8-5.5 V工作電壓可用于USB、UART、SPI、I2C、智能卡I/F、曼徹斯特碼、遙控器接收，以及A/D、D/A、PLL、穩(wěn)壓器、運(yùn)算放大器、比較器、POR和LVD。公司并提供相關(guān)的開(kāi)發(fā)工具。

　　用于擴(kuò)展底座的iChief數(shù)字固件可以使用UART控制解決方案，通過(guò)USB將iPod和其它便攜式媒體播放器連接到底座;將USB命令轉(zhuǎn)換成UART命令的iAp，反之亦然，使之可以用UART命令控制USB數(shù)字音頻。

　　小型電機(jī)控制電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的主要特點(diǎn)則包括集成的主動(dòng)反激保護(hù)、熱和UVLO故障檢測(cè)，以及過(guò)流故障檢測(cè)，適用于投影儀等產(chǎn)品。