實(shí)現(xiàn)RFID讀寫(xiě)器讀/寫(xiě)距離最大化的注意事項(xiàng)
簡(jiǎn)述
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/128743.htm本文提供了如何最大限度地?cái)U(kuò)大RFID讀寫(xiě)器讀/寫(xiě)距離的方法。讀/寫(xiě)距離取決于諸多因素,如讀寫(xiě)器(RFID讀寫(xiě)器)的傳輸功率、讀寫(xiě)器的天線增益、讀寫(xiě)器IC的靈敏度、讀寫(xiě)器總體天線效率、周圍物體(尤其是金屬物體)及來(lái)自附近的RFID讀寫(xiě)器或者類似無(wú)線電話的其它外部發(fā)射器的RF干擾。
功率密度
讀寫(xiě)器天線發(fā)射的RF電磁波的功率密度大小如下式所示。
Sr = PtGt/4πR2 (式1)
式中,Sr為功率密度,Pt為讀寫(xiě)器天線的發(fā)射功率,Gt為讀寫(xiě)器天線的讀寫(xiě)器增益,R為讀寫(xiě)器天線的發(fā)射距離。式1表明,功率密度與距離的平方成反比。這一公式在理想情況下成立,如在不存在衰減RF信號(hào)的物體、可能產(chǎn)生干擾的外部發(fā)射器和來(lái)自同一信號(hào)源產(chǎn)生其它干擾模式的多徑效應(yīng)的微波暗室內(nèi)。此應(yīng)用指南將更為詳細(xì)地討論以上這些因素。
天線增益
天線增益的單位是dBi,dBi代表一根天線與在所有方向均勻分配能量的假設(shè)各向同性天線相比的正向增益。在設(shè)計(jì)天線的結(jié)構(gòu)時(shí),應(yīng)使其在某個(gè)方向比另一個(gè)方向輻射更多的能量,從而實(shí)現(xiàn)更高增益。以水噴頭作例子,可以很好地理解這一點(diǎn)。集中噴射,水流變窄,水射出的距離增加。這與提高天線增益類似,即在某個(gè)方向集中能量輻射。
天線3dB波束寬度和半功率點(diǎn)
提高讀寫(xiě)器的讀/寫(xiě)距離必須考慮的另一個(gè)重要的天線特性,天線3dB波束寬度圖。如圖1所示的3dB波束寬度,包含了75%的射頻能量。在此范圍內(nèi)讀寫(xiě)器具有最佳讀/寫(xiě)性能。3dB波束寬度取決于天線增益。例如,天線增益越高,能量越集中,3dB波束寬度就越窄。
評(píng)論