基于瑞薩QzROM單片機的EFT抗干擾措施

　　QzROM單片機介紹

　　QzROM是應(yīng)用了經(jīng)過細微化處理的PROM技術(shù)的可編程存儲器。QzROM單片機是指搭載了新型存儲器QzROM的瑞薩單片機(圖1)，廣泛應(yīng)用于照相機、便攜式設(shè)備、家電及民用設(shè)備等。

　　EFT概念

　　EFT(電快速瞬變脈沖群，如圖2)是由電路中的感性負載斷開時產(chǎn)生。特點是一連串的脈沖，對電路的影響比較大，可造成MCU(單片機)程序跑飛、死機、復(fù)位等情況。由于一連串的脈沖可以在電路的輸入端產(chǎn)生累積效應(yīng)，使干擾電平的幅度最終超過電路噪聲門限。

　　當(dāng)脈沖串的每個脈沖相距很近時，電路的電容沒有足夠時間放電，就又開始新的充電，容易達到較高的電平。所以脈沖串的周期越短對電路影響越大。

　　EFT抗干擾措施，主要介紹三類方法：

　　1.優(yōu)化PCB(印制電路板)布線

　　•在元件布局方面，需優(yōu)先放置MCU(單片機)、時鐘、復(fù)位電路;將元器件劃分不同的功能模塊，合理擺放各模塊位置，調(diào)整元器件角度，縮短總布線長度。

　　•在布線寬度、布線間隙方面，盡量用更粗的布線寬度和布線間隙，減少在干擾下導(dǎo)線上的電壓對信號的影響，同時減少各個布線間的干擾。

　　•在地線、電源線布置方面：盡量將MCU、時鐘、復(fù)位電路的地線、電源線與其他功能分離開來，低頻時注意覆銅的放置，應(yīng)盡量縮短布線長度。