TE旗下發(fā)布業(yè)界最低電容的硅靜電放電保護(hù)器件

　　TE Connectivity旗下的一個(gè)業(yè)務(wù)部門(mén)TE電路保護(hù)部日前發(fā)布一個(gè)系列8款全新的單/多通道硅靜電放電(SESD)保護(hù)器件，可提供市場(chǎng)上最低的電容(雙向：典型值為0.10pF，單向：典型值為0.20pF)、最高的ESD保護(hù)(20kV空氣放電和接觸放電)和最小尺寸封裝(多通道：最小的直通外形尺寸、厚度為0.31mm)。

　　這些SESD器件的超低電容帶來(lái)了業(yè)界最低的插入功耗，這在超高速應(yīng)用中對(duì)保持信號(hào)完整性至關(guān)重要。該器件可幫助免受由靜電放電、浪涌和電纜放電所引起的損壞。多通道器件也具有一個(gè)特殊設(shè)計(jì)的直通封裝，可允許印刷電路板(PCB)布線的匹配阻抗，這對(duì)于保持高速信號(hào)的完整性是必不可少的。具有超低電容、小體積和高靜電放電額定防護(hù)等級(jí)的SESD器件，非常適合于智能手機(jī)、高清電視等類似消費(fèi)電子產(chǎn)品、汽車(chē)和其他市場(chǎng)上使用當(dāng)前和未來(lái)最高速率接口的各種產(chǎn)品，這些接口諸如USB3.0/2.0、HDMI、eSATA、DisplayPort和Thunderbolt。

　　這些單/多通道SESD器件具有行業(yè)領(lǐng)先的20kV的接觸放電和空氣放電額定值，超過(guò)了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-2定義的8kV。如果在高電壓ESD的沖擊情況下，這種高電壓額定值可將ESD器件出現(xiàn)短路導(dǎo)致端口永久性失效，或者因靜電放電導(dǎo)致ESD器件開(kāi)路、暴露下游芯片組從而帶來(lái)?yè)p壞的風(fēng)險(xiǎn)降到最低。這個(gè)功能能夠減少客戶的投訴和保修費(fèi)用。

　　“ESD保護(hù)器件在數(shù)據(jù)線上增加了電容，從而可能引起信號(hào)完整性問(wèn)題，影響產(chǎn)品的性能和互操作性。如今的高速端口需要電容最低的ESD器件，以在提供最高等級(jí)保護(hù)的同時(shí)對(duì)信號(hào)傳輸?shù)挠绊懽钚。?rdquo;TE電路保護(hù)部全球市場(chǎng)營(yíng)銷和ESD業(yè)務(wù)經(jīng)理Patrick Hibbs表示：“我們?nèi)碌腟ESD器件提供了比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的‘超低電容’解決方案低92%的電容值，也就意味著我們的SESD器件能夠滿足如今的‘Thunderbolt’應(yīng)用。甚至即使是4K超高清(UHD)和1/4高清電視(QHD)等仍然處于興起的市場(chǎng)，我們的SESD器件也能夠適用于這些應(yīng)用。”

　　隨著消費(fèi)類電子產(chǎn)品的體積不斷縮小，TE電路保護(hù)部的SESD器件在持續(xù)的小型化趨勢(shì)中帶來(lái)了體積上的優(yōu)勢(shì)。已可供貨的單通道器件采用0201規(guī)格XDFN小占位面積(0.6mm x 0.3mm x 0.31mm)封裝和0402規(guī)格XDFN(1.0mm x 0.6mm x 0.38mm)封裝。多通道SESD陣列(2、4、6通道可選)的封裝高度低至0.31mm——與競(jìng)爭(zhēng)性器件相比降低程度多達(dá)50%。SESD器件較低的總體高度使其能夠安裝在PCB板的邊緣，或安裝在電路板和連接器之間，從而提升了設(shè)計(jì)的靈活性。

　　此外，一個(gè)微型化的四通道SESD陣列能夠使用在一個(gè)面積比四個(gè)0201器件更小的電路板區(qū)域中，從而帶來(lái)電路板面積、組裝成本和器件成本上的降低。作為市場(chǎng)上最小的4和6通道直通陣列，這些器件在與采用了微型連接器的應(yīng)用一起使用時(shí)仍然易于布線，這些新型連接器包括如HDMI的D型、mini DisplayPort、Thunderbolt和USB 3.0 Micro-B等。