恩智浦半導(dǎo)體LPC1800 MCU具備業(yè)界最佳ARM Cortex-M3性能

　　恩智浦半導(dǎo)體宣佈推出業(yè)界最佳性能的ARM® Cortex-M3微控制器。LPC1800的低功耗最佳化設(shè)計(jì)，使其在Flash或RAM中的極低頻率到150Mhz的範(fàn)圍中，均可發(fā)揮最大化的性能。此性能為廣大的需求應(yīng)用提供了最多的連接和頻寬的選擇。靈活的雙組256位元Flash記憶體支援讀、寫操作，可保存「黃金副本(golden copy)」，防止在重新編程中出現(xiàn)失誤，也可以簡(jiǎn)單地成為單儲(chǔ)存位元使用。LPC1800也支援兩種最新週邊設(shè)備：靈活的四路SPI介面和可配置計(jì)時(shí)器子系統(tǒng)。

　　恩智浦半導(dǎo)體副總裁暨微控制器產(chǎn)品線總經(jīng)理Geoff Lees表示：「LPC1800為ARM Cortex-M3微控制器樹立新的性能標(biāo)竿。恩智浦以可靠的高性能記憶體架構(gòu)和系統(tǒng)周邊設(shè)備的不斷創(chuàng)新，造就與眾不同的LPC1800?！?/p>

　　恩智浦90nm製程帶來低功耗高性能的大容量記憶體

　　LPC1800採(cǎi)用恩智浦的90nm超低漏電製程技術(shù)，具有運(yùn)行速度更快、動(dòng)態(tài)功耗更低的特點(diǎn)，獨(dú)有的低漏電最佳化將待機(jī)模式下的漏電流降低10至100倍。LPC1800為Cortex-M3提供業(yè)界最大的On-chip SRAM，在多位元中最高可達(dá)200KB，每個(gè)位元都有獨(dú)立匯流排存取，具備更高吞吐量，亦可分別進(jìn)行斷電(power down)控制進(jìn)入低功耗工作模式。雙位元1MB Flash架構(gòu)提供最可靠的應(yīng)用中重新編程，支援不間斷Flash操作。

　　無縫高速四路SPI介面和可配置計(jì)時(shí)器子系統(tǒng)

　　恩智浦以迅速採(cǎi)用四路SPI架構(gòu)在新型串列Flash記憶體中的優(yōu)勢(shì)，首次推出無縫高速介面，幾乎可與所有SPI和四路SPI廠商連接。高速介面與四路SPI記憶體連接時(shí)，每路的速率可達(dá)80 Mbps，其Off-chip資料和代碼執(zhí)行速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高出On-chip記憶體。

　　LPC1800可配置計(jì)時(shí)器子系統(tǒng)由包含狀態(tài)機(jī)的計(jì)時(shí)器陣列組成，支援多種復(fù)雜功能，包含事件控制的PWM波形生成、ADC同步和Dead time控制。此計(jì)時(shí)器子系統(tǒng)為嵌入式設(shè)計(jì)者增加了靈活性，能為電源轉(zhuǎn)換、照明和電機(jī)等多種應(yīng)用建立使用者定義的波形和控制信號(hào)。

　　LPC1800的其他可用周邊設(shè)備包含兩個(gè)HS USB控制器、On-chip HS PHY、支援硬體TCP/IP核對(duì)計(jì)算的10/100T乙太網(wǎng)路控制器、高解析度彩色LCD控制器和AES解密，其中包含兩個(gè)用于儲(chǔ)存密鑰的128位元安全動(dòng)態(tài)密碼(on-time password, OTP)記憶體。AES加密版本可依需求提供。

　　LPC1800標(biāo)準(zhǔn)特性

　　該系列所有產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)特性包括含有啟動(dòng)代碼的32 KB ROM和On-chip軟體驅(qū)動(dòng)器、8通道通用DMA (GPDMA)控制器，兩個(gè)10位元ADC (Analog-to-Digital Converter)和一個(gè)轉(zhuǎn)換採(cǎi)樣速率為400k/s的 10位元ADC、馬達(dá)控制PWM和正交編碼器介面、4個(gè)UART、2個(gè)快速模式I2C、I2S、2個(gè)SSP/SPI、智慧卡介面、4個(gè)計(jì)時(shí)器、視窗監(jiān)視計(jì)時(shí)器、警報(bào)計(jì)時(shí)器、具256位元電池供電備份暫存器的超低功耗RTC以及高達(dá)80個(gè)通用I/O引腳。