<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          新聞中心

          EEPW首頁(yè) > 元件/連接器 > 新品快遞 > 羅姆推出高耐壓功率MOSFET

          羅姆推出高耐壓功率MOSFET

          作者: 時(shí)間:2012-03-01 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            日本知名半導(dǎo)體制造商株式會(huì)社(總部:日本京都市)面向太陽能發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器市場(chǎng),開發(fā)出實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)頂級(jí)低導(dǎo)通的高耐壓功率“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/129706.htm

            本產(chǎn)品采用散熱性卓越的TO247PLUS封裝,于2011年9月中旬開始提供樣品(樣品價(jià)格:1000日元/個(gè)),并已于2011年12月份開始投入量產(chǎn)。

            隨著節(jié)能趨勢(shì)漸行漸強(qiáng),作為可再生能源的代表,太陽能發(fā)電市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大。其功率調(diào)節(jié)器領(lǐng)域,正在努力通過電源轉(zhuǎn)換效率的改善實(shí)現(xiàn)節(jié)電,因此對(duì)實(shí)現(xiàn)更低損耗的功率的需求不斷高漲。此前也一直利用多層外延生長(zhǎng)方式,為客戶提供多層縱向pn結(jié)的超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率,持續(xù)為高效化作出了貢獻(xiàn)。但是,由于這種方式的制造工序復(fù)雜,因此具有難于微細(xì)化和提高生產(chǎn)性能的課題。

            此次,采用縱向p層一次成型的Si深蝕刻技術(shù),通過微細(xì)化及雜質(zhì)濃度的優(yōu)化,與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比,將導(dǎo)通成功降低了約47%。此產(chǎn)品不僅非常適合低導(dǎo)通容易體現(xiàn)出來的轉(zhuǎn)換器部分,而且與羅姆制造的快速恢復(fù)二極管或SiC肖特基勢(shì)壘二極管等相組合,還可應(yīng)用于逆變器。由于可以大幅降低電源轉(zhuǎn)換時(shí)的損耗,因此將會(huì)大大有助于提高太陽能發(fā)電的效率。另外,為了適用于更多種類的電路方式,羅姆在采用本技術(shù)進(jìn)一步完善高耐壓產(chǎn)品線的同時(shí),還將不斷擴(kuò)充“PrestoMOS™”系列。

            羅姆今后也會(huì)繼續(xù)利用獨(dú)創(chuàng)的先進(jìn)工藝加工技術(shù),不斷推進(jìn)滿足顧客需求的前瞻性晶體管產(chǎn)品的開發(fā)。

            <高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”的主要特點(diǎn)>

            1) 業(yè)內(nèi)頂級(jí)的低導(dǎo)通電阻

            2) 具有卓越散熱性能的TO247PLUS封裝

            <利用了Si深蝕刻技術(shù)的超結(jié)結(jié)構(gòu)>

            采用縱向p層一次成型的Si深蝕刻技術(shù)。

            不僅可簡(jiǎn)化工序,而且適合微細(xì)化。

            <導(dǎo)通電阻降低47%> ※以傳統(tǒng)產(chǎn)品為“1”為例

            <術(shù)語解說>

            ?導(dǎo)通電阻

            功率器件動(dòng)作時(shí)的電阻值。是影響功率MOSFET性能的最重要的參數(shù),其值越小性能越高。

            ?超結(jié)MOSFET

            利用耗盡層在三維空間中的的拓寬,實(shí)現(xiàn)了比傳統(tǒng)產(chǎn)品更低損耗的功率MOSFET。

            ?SiC(Standard Industrial Classification:碳化硅)

            帶隙是硅的3倍左右、絕緣破壞電場(chǎng)是其10倍左右、導(dǎo)熱率是其3倍左右,是具備優(yōu)異物理性能的化合物半導(dǎo)體,這些特性適合功率器件應(yīng)用和高溫動(dòng)作。羅姆在2010年4月實(shí)現(xiàn)肖特基勢(shì)壘二極管的量產(chǎn),并于2010年12月實(shí)現(xiàn)了MOSFET的量產(chǎn)。

            ?“PrestoMOS™”系列

            低導(dǎo)通電阻、低Qg并且實(shí)現(xiàn)了內(nèi)部二極管的高速trr化的高耐壓MOSFET系列。

            (Presto是指:源于意大利語的意為“極其快速”的音樂用語。)

          光敏電阻相關(guān)文章:光敏電阻工作原理




          關(guān)鍵詞: 羅姆 電阻 MOSFET

          評(píng)論


          技術(shù)專區(qū)

          關(guān)閉
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();