RF Micro Devices加快RF功率管理方面的技術(shù)改進(jìn)

　　日前，高性能射頻組件以及復(fù)合半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者 RF Micro Devices, Inc.(Nasdaq 股市代號(hào)：RFMD)宣布，其將繼續(xù)努力，實(shí)現(xiàn) RF 功率管理性能方面改進(jìn)的新里程碑。RF Micro Devices 正在開(kāi)發(fā)基于平均功率跟蹤- (APT-) 和包膜跟蹤- (ET-) 的解決方案，這些解決方案將利用 RFMD 在功率放大器、RF 功率管理和復(fù)合半導(dǎo)體方面的領(lǐng)導(dǎo)地位來(lái)實(shí)現(xiàn)有突破性的性能。

　　RFMD 是 RF 功率管理方面的領(lǐng)導(dǎo)者，目前已銷(xiāo)售出數(shù)千萬(wàn)個(gè)電源管理集成電路 (PMIC)，其中大部分在 RFMD 的革命性 PowerSmart® 功率平臺(tái)上的 RF Configurable Power Core™ 架構(gòu)內(nèi)。RFMD 也是 RF 功率控制方面的先驅(qū)，目前已銷(xiāo)售出幾億個(gè)具有集成功率控制功能的功率放大器(RFMD 的 PowerStar® 功率放大器和發(fā)射模塊)。RFMD 預(yù)計(jì)，包膜跟蹤技術(shù)與 RFMD的超級(jí)砷化鎵器件及技術(shù)的結(jié)合是一個(gè)顛覆性的整合，將大大提高 RF 性能的標(biāo)準(zhǔn)。

　　RFMD 蜂窩產(chǎn)品組 (CPG) 總裁 Eric Creviston 說(shuō)：“RFMD 在 RF 功率管理的技術(shù)研發(fā)方面處于領(lǐng)先地位。我們熱衷于實(shí)現(xiàn)基于 APT 和 ET 的解決方案。我們相信，功率管理技術(shù)(如平均功率跟蹤和包膜跟蹤)在智能手機(jī)中的重要性將不斷提升，這將使 RFMD 能夠充分利用我們?cè)诠β史糯笃骱?RF 功率管理方面的綜合領(lǐng)導(dǎo)地位、并增加擴(kuò)展我們 RF 產(chǎn)品份量的機(jī)會(huì)。”