飛兆半導體650V場截止IGBT
—— 提高功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的效率和系統(tǒng)可靠性
英飛凌汽車電子生態(tài)圈
太陽能功率逆變器、不間斷電源(UPS)以及焊接應(yīng)用的設(shè)計人員面臨提高能效，滿足散熱法規(guī)，同時減少元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。有鑒于此，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)了一系列針對光伏逆變器應(yīng)用的650V IGBT產(chǎn)品，幫助設(shè)計人員應(yīng)對這一行業(yè)挑戰(zhàn)。
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/130776.htm
飛兆半導體公司的場截止IGBT技術(shù)能夠讓設(shè)計人員開發(fā)出具有更高輸入電壓的高可靠系統(tǒng)設(shè)計，同時提供具有低導通損耗和開關(guān)損耗的最佳性能。另外，650V IGBT具有大電流處理能力、正溫度系數(shù)、嚴格的參數(shù)分布，以及較寬的安全工作區(qū)等特點。
更高的擊穿電壓改善了寒冷環(huán)境溫度下的可靠性，隨著溫度的降低，IGBT和FRD阻斷電壓亦會下降，因而650V IGBT特別適合較冷氣候之下工作的太陽能光伏逆變器。仔細選擇IGBT和續(xù)流二極管是獲得最高效率的必要條件，650V IGBT提供了快速和軟恢復(fù)特性，能夠降低功率耗散，并減小開啟和關(guān)斷損耗。
特性和優(yōu)勢
- 具有更高的阻斷電壓能力，無需犧牲性能
- 具有正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)工作，可實現(xiàn)不發(fā)熱的嵌板應(yīng)用，防止系統(tǒng)過載
- 大電流容量，實現(xiàn)大功率DC/AC轉(zhuǎn)換
- 最高結(jié)溫：TJ=175oC
- 低飽和壓降：Ic=40A / 60A額定電流下，VCE(sat)= 1.9V(典型值)
- 高開關(guān)速度，可讓系統(tǒng)保持高效率
- 低導通損耗和開關(guān)損耗
- 寬安全工作區(qū) – 允許更高的功率耗散
- 嚴格的參數(shù)分布
- 滿足RoHS要求
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