安森美半導(dǎo)體推出低靜態(tài)電流4通道及6通道開(kāi)關(guān)
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應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出兩款采用單刀雙擲(SPDT)開(kāi)關(guān)配置的新多通道差分開(kāi)關(guān)集成電路(IC)，應(yīng)用于PCI Express 3.0及DisplayPort 1.2輸入/輸出(I/O)信號(hào)等高頻信號(hào)，目標(biāo)應(yīng)用包括筆記本、臺(tái)式計(jì)算機(jī)、服務(wù)器及網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)設(shè)備。
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/130828.htm
6通道差分SPDT開(kāi)關(guān)NCN3612B由于它的高帶寬，支持8 Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率。它的導(dǎo)通電容(CON)為2.1 pF(典型值)，導(dǎo)通電阻(RDSON)為8 ?(典型值)。與這器件相輔相成的是同樣能支持8 Gbps工作的4通道差分開(kāi)關(guān)NCN3411。NCN3411的導(dǎo)通電容為2 pF(典型值)，導(dǎo)通電阻(RDSON)為7.5 ?(典型值)。這些特性使這兩款新器件非常適合用于PCI Express 3.0及DispalyPort 1.2 I/O信號(hào)路由。
安森美半導(dǎo)體接口及電源產(chǎn)品總監(jiān)高天寶(Thibault Kassir)說(shuō)：“NCN3612B和NCN3411固有低導(dǎo)通電容及低導(dǎo)通電阻，令其能提供更低的數(shù)據(jù)邊緣速率及更低的插入損耗。因此，這些器件能配合當(dāng)今系統(tǒng)設(shè)計(jì)指定的最新高速接口標(biāo)準(zhǔn)提供所需的信號(hào)完整性水平。”
NCN3612B的電源電壓范圍為3伏(V)至3.6 V，消耗的供電電流僅為250微安(µA)(典型值);而NCN3411的電源電壓范圍為1.5 V至2.0 V，消耗的供電電流為200 µA。這些新器件的環(huán)境工作溫度范圍為−40 °C至+85 °C
評(píng)論