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          IDT推出全球首款針對高性能應用的壓電MEMS振蕩器

          作者: 時間:2012-05-10 來源:電子產品世界 收藏

            擁有模擬和數(shù)字領域的優(yōu)勢技術、提供領先的混合信號半導體解決方案的供應商 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: I) 宣布,已推出全球首款針對高性能通信、消費、云和工業(yè)應用的 CrystalFree 壓電MEMS(pMEMS)LVDS / LVPECL 的新型可在緊湊業(yè)界標準封裝中以遠低于 1 皮秒的相位抖動運行,使其成為傳統(tǒng)六管腳晶體(XO)的理想替代。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/132247.htm

            

           

            IDT 的 4M 系列高性能 LVDS / LVPECL 振蕩器利用 IDT 專利的 CrystalFree pMEMS 諧振器技術,讓 IDT 能夠迅速在出廠時編程所需的輸出頻率,無需微調昂貴的晶體。此外,由于pMEMS 的本征諧振頻率遠高于石英晶體,4M 振蕩器能夠以更低的成本實現(xiàn)更高的頻率而無需損耗關鍵性能。4M 系列是 IDT 廣泛 MEMS-based 器件組合的首款產品,將為客戶提供便利、精確和低抖動的計時參考。

            IDT 公司副總裁兼計時與同步部門總經理 Fred Zust 表示:“作為計時領域的領導者,我們的客戶一直期望 IDT 的 pMEMS 技術能夠擴展至通信這樣的高性能應用,通信是 40 億美元頻率控制市場的重要細分市場。IDT 專利的 pMEMS 諧振器技術將壓電材料的強機電耦合與單晶硅的穩(wěn)定性和低阻尼相結合,允許我們憑借無與倫比的性能和可靠性實現(xiàn)便利且具有成本效益的 XO 替代。這些產品與我們屢獲殊榮的固態(tài)振蕩器相得益彰,可提供完整的頻率控制產品組合,從而在不斷增加的細分市場中替代石英器件。”

            IDT 的 4M 振蕩器可在 -40°C 至 85°C 的廣泛工業(yè)溫度范圍內以 ±50 ppm 的頻率精度運行。器件支持低壓差分信號(LVDS)和低電壓正發(fā)射極耦合邏輯(LVPECL),頻率高達 625 MHz,可滿足大多數(shù)通信、網(wǎng)絡和高性能計算應用的嚴格要求。除了 7.0 x 5.0 mm(7050)尺寸,IDT 的 pMEMS 振蕩器還提供 5.0 x 3.2 mm(5032)小型標準塑料封裝,可節(jié)省成本并在高密度的應用領域將封裝尺寸降至最低。經過設計,它們與傳統(tǒng)的 XO 管腳兼容,使其成為理想的升級替代解決方案。



          關鍵詞: IDT 振蕩器

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