3D IC制程標(biāo)準(zhǔn)須與國際接軌

　　日前，在SEMI臺(tái)灣和臺(tái)工研院共同主辦、先進(jìn)堆疊系統(tǒng)與應(yīng)用研發(fā)聯(lián)盟(Ad-STAC)協(xié)辦的“SEMI國際技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)制訂與全球3D IC技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)研討會(huì)”中，半導(dǎo)體制造聯(lián)盟(SEMATECH) 3D Enablement Center的Richard A. Allen，以及SEMI資深協(xié)理James Amano，分享了數(shù)項(xiàng)SEMI國際技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最新發(fā)展、成功案例，以及國際上3D IC技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)之布局。

　　SEMI指出，3D IC由于整合度高、體積小、成本和功耗低等優(yōu)勢(shì)，已成現(xiàn)今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不可或缺的重要發(fā)展技術(shù)。SEMI臺(tái)灣集結(jié)多家相關(guān)業(yè)者，積極參與國際產(chǎn)業(yè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的制訂，持續(xù)討論和研擬制訂不同生產(chǎn)階段中所需的標(biāo)準(zhǔn)，透過專利權(quán)的建置、掌握國際標(biāo)準(zhǔn)脈動(dòng)，才是讓臺(tái)灣廠商持續(xù)創(chuàng)造競(jìng)爭優(yōu)勢(shì)，以應(yīng)產(chǎn)業(yè)萬變的最佳策略。

　　臺(tái)灣工研院量測(cè)中心副主任林增耀在會(huì)中表示，世界經(jīng)濟(jì)局勢(shì)變動(dòng)劇烈，唯有擁有專利、掌握國際標(biāo)準(zhǔn)脈動(dòng)，才是創(chuàng)造競(jìng)爭優(yōu)勢(shì)以應(yīng)萬變的最佳策略，參與國際產(chǎn)業(yè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的制訂，更成為臺(tái)灣企業(yè)布局國際市場(chǎng)的重要攻防戰(zhàn)。

　　半導(dǎo)體制造聯(lián)盟(SEMATECH) 3D Enablement Center的Richard A. Allen于會(huì)中表示，3D IC具備整合度高、體積小、成本和功耗低等優(yōu)勢(shì)，已成現(xiàn)今產(chǎn)業(yè)不可或缺的重要發(fā)展技術(shù)，而隨著3D IC技術(shù)受到重視，如何建立立體堆疊整合最常用的矽穿孔(TSV)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)也備受矚目。

　　SEMI產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)專案資深經(jīng)理張嘉倫指出，SEMI在臺(tái)灣致力于推動(dòng)3D IC標(biāo)準(zhǔn)制訂，已集結(jié)包括臺(tái)積電、聯(lián)電、日月光、矽品、晶電、聯(lián)發(fā)科、漢民科技等半導(dǎo)體大廠參與討論不同生產(chǎn)階段中所需的標(biāo)準(zhǔn)，相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域范圍涵蓋矽穿孔(TSV)、接合和薄化制程、測(cè)試檢驗(yàn)和量測(cè)、設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)的研擬和制訂。

　　SEMI指出，由于3D IC設(shè)計(jì)復(fù)雜度遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)晶片，技術(shù)及成本挑戰(zhàn)接踵而來，SEMI以制造業(yè)需求為導(dǎo)向，所制訂出的3D IC產(chǎn)業(yè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)提升產(chǎn)能、降低制造成本、縮短產(chǎn)品上市所需時(shí)間，以確保全球各地在設(shè)備與制程的相容性，而這也是牽連到臺(tái)灣企業(yè)布局國際市場(chǎng)的重要攻防戰(zhàn)。