三星電子 全球首家量產(chǎn)20納米級移動存儲器
—— 旨在全面擴(kuò)大其4Gb DRAM市場
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日前，三星電子發(fā)布，其全球首家批量生產(chǎn)20納米級工藝的4GbLPDDR2DRAM，旨在全面擴(kuò)大其4Gb DRAM市場。
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/133108.htm三星電子繼2012年3月開始批量生產(chǎn)20納米級8GBDDR3筆記本電腦模塊，4月又開始批量生產(chǎn)20納米級4GbLPDDR2DRAM，從而成了擁有業(yè)界最大高端4Gb存儲生產(chǎn)線的廠商。
據(jù)了解，20納米級4GbDRAM產(chǎn)品群，不僅能夠提供全球最為“超薄”、“大容量”、“高性能”的手機(jī)解決方案，而且其最小的芯片尺寸，可實現(xiàn)超薄設(shè)計。因此，該產(chǎn)品成為了創(chuàng)新企業(yè)及手機(jī)生產(chǎn)廠商推出的下一代系統(tǒng)時確保其優(yōu)勢的核心要素。
三星電子2011年3月開始批量生產(chǎn)了30納米級存儲器。此次業(yè)界首家批量生產(chǎn)最小尺寸20納米級存儲，意味著三星電子不僅能夠確保在30納米級移動存儲以及20納米級移動存儲領(lǐng)域的競爭優(yōu)勢，而且將繼續(xù)引領(lǐng)移動存儲市場的領(lǐng)先地位。
三星電子存儲器事業(yè)部戰(zhàn)略營銷部洪完勛副社長表示，“2011年三星電子憑借業(yè)界首家批量生產(chǎn)30納米級4GbDRAM，擴(kuò)大了市場份額。2012年，則通過20納米級4Gb的批量生產(chǎn)，有望實現(xiàn)進(jìn)一步差異化高端存儲器市場目標(biāo)。今年下半年，將繼續(xù)加大20納米級的比重,從而搶占高端市場，進(jìn)而加強競爭優(yōu)勢。”
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