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          低功率LED照明趨勢

          作者:BrianJohnson,JamesLee 時(shí)間:2012-06-18 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

           

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/133636.htm

            有了較大的燈尺寸,就有了相當(dāng)大的空間來容納解決方案,并且PF和低仍然是強(qiáng)制要求。

            設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

            這些燈的較高瓦數(shù)會(huì)引起更高的Vds,peak(尖峰)通過MOSFET,因而需要BVDss額定值較高的MOSFET。對于高壓尖峰,由于輸入電流較高,BVDss額定值必須降低。圖14顯示了電壓尖峰為匯總的Vds,peak = Vin+nVo+Vos,其中nVo是反射的輸出電壓,也稱為Vro。

            通常使用緩沖器來限制Vos峰值電壓,但緩沖器會(huì)消耗能量,從而降低了效率:
                 

            飛兆方案

            飛兆半導(dǎo)體的解決方案如表2所示,單級(jí)反激與2級(jí)方法的對比如表3所示。


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          關(guān)鍵詞: LED THD 驅(qū)動(dòng)器 201206

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