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          我國(guó)存儲(chǔ)器行業(yè)面臨的形勢(shì)與機(jī)遇

          作者: 時(shí)間:2012-06-28 來(lái)源:工業(yè)和信息化部軟件與集成電路促進(jìn)中心 收藏

            1、發(fā)展形勢(shì)

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/134055.htm

            傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)、Flash需要設(shè)計(jì)和制造技術(shù)緊密配合,已形成少數(shù)大型IDM公司壟斷的局面,在主流分立產(chǎn)品上我國(guó)正面切入的難度相當(dāng)大。

            目前,國(guó)內(nèi)外客戶對(duì)高速SRAM的需求量越來(lái)越大,其主要應(yīng)用包括USB3.0、甚高速數(shù)字用戶環(huán)路(VDSL)、 機(jī)頂盒(STB)和基帶(Baseband)等。但高速SRAM IP和低功耗SRAM IP絕大部分由歐美公司提供,許可費(fèi)用昂貴。

            2、主要挑戰(zhàn)

            目前,我國(guó)企業(yè)在產(chǎn)品推廣中遇到的挑戰(zhàn)主要在市場(chǎng)端。由于國(guó)內(nèi)缺少制造和封裝測(cè)試環(huán)節(jié),晶圓以及封裝測(cè)試都需要外包,因此造成產(chǎn)量小,成本居高不下。雖然在高端市場(chǎng)(服務(wù)器、工業(yè)級(jí)應(yīng)用)贏得一定的客戶,但市場(chǎng)容量小,不易形成規(guī)模;在中低端市場(chǎng)(平板電腦,機(jī)頂盒)有大量客戶,對(duì)成本很敏感,雖然形成了相對(duì)的量,但面臨國(guó)際大廠激烈競(jìng)爭(zhēng),推廣難,毛利低。我國(guó)企業(yè)作為市場(chǎng)中的后進(jìn)入者,還未打開知名度,需要拿高品質(zhì)的產(chǎn)品到價(jià)格敏感的消費(fèi)市場(chǎng)打拼;對(duì)一些高端客戶,作為新公司、新品牌,必然受到很多挑戰(zhàn)。如何不斷降低產(chǎn)品成本以提升產(chǎn)品的綜合競(jìng)爭(zhēng)力是遇到的主要困難。

            如今半導(dǎo)體市場(chǎng)的推動(dòng)力已經(jīng)由PC轉(zhuǎn)向消費(fèi)電子產(chǎn)品。PC過(guò)去基本是企業(yè)采購(gòu)、單位采購(gòu)。因此從企業(yè)角度說(shuō),對(duì)計(jì)算機(jī)只要滿足使用要求,它并不會(huì)對(duì)計(jì)算機(jī)提出不斷升級(jí)內(nèi)存要求。而對(duì)于消費(fèi)電子產(chǎn)品,手機(jī)、MP3/MP4、平板電腦、電視機(jī)、音響、都屬于個(gè)人或家庭消費(fèi),對(duì)產(chǎn)品的要求越來(lái)越嚴(yán)格、價(jià)格也是越來(lái)越低。如果芯片價(jià)格不降低,質(zhì)量要求不嚴(yán)格,就很難賣出去,這實(shí)際上也是工業(yè)的推動(dòng)力發(fā)生了轉(zhuǎn)變。

            3、發(fā)展機(jī)遇

            (1)對(duì)于低次代應(yīng)用,發(fā)揮我們貼近市場(chǎng)和服務(wù)支持的優(yōu)勢(shì),芯片設(shè)計(jì)加制造的模式是有一定機(jī)會(huì)的,但需強(qiáng)化存儲(chǔ)器芯片制造技術(shù);

            (2)SRAM與“宿主”關(guān)系密切,結(jié)合高端芯片的研發(fā),從設(shè)計(jì)技術(shù)的角度開發(fā)并優(yōu)化嵌入式SRAM IP是一個(gè)不錯(cuò)的切入點(diǎn);

            (3)新型存儲(chǔ)器在未來(lái)5-10年當(dāng)中可能成長(zhǎng)為與Flash并駕齊驅(qū)的主流技術(shù)之一,甚至有可能成為“Universal Memory”,我們應(yīng)該抓住這個(gè)難得的技術(shù)路線轉(zhuǎn)移的機(jī)會(huì),部署新型存儲(chǔ)器的研發(fā)。

            (4)SRAM由于讀寫速度的提升和存儲(chǔ)空間的增大,其功耗在芯片功耗中所占的比重越來(lái)越高。在SoC芯片中,位于數(shù)據(jù)通路關(guān)鍵路徑上的SRAM訪問速度直接制約芯片系統(tǒng)速度,其密度也直接影響芯片的面積和成本,而這依賴于先進(jìn)的設(shè)計(jì)技術(shù)和精致的物理實(shí)現(xiàn)技術(shù)。SRAM成了制約SoC速度(頻率)和功耗、面積的嚴(yán)重瓶頸。因此,定制關(guān)鍵路徑上的高速低功耗高密度SRAM非常有利于SoC芯片性能的整體提高,功耗的降低和成本的減少。

            國(guó)際上高端CPU及SoC芯片公司(如IBM、Intel、AMD、SUN)都有自己的SRAM設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)和設(shè)計(jì)能力。市場(chǎng)上銷售的SRAM編譯器(如Foundry提供的)只能滿足中低端需要,速度慢于高端SoC芯片和CPU公司的SRAM 50%,面積大且成本高。因此,采用自主的專利技術(shù)和可配置的高速低功耗高密度SRAM及編譯器,設(shè)計(jì)高性能SRAM高速總線接口和高速緩存接口,提高SoC芯片性能,降低功耗和面積成本,對(duì)提高國(guó)產(chǎn)中高端SoC芯片的競(jìng)爭(zhēng)力十分必要。



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