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          瑞薩科技擴(kuò)展Powerchip Semiconductor

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          作者:電子產(chǎn)品世界 時(shí)間:2006-06-08 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏
                                    閃存領(lǐng)域的商業(yè)合作關(guān)系


               東京和臺(tái)北,2006年6月1日——瑞薩科技公司(Renesas Technology Corp.)與力晶半導(dǎo)體股份有限公司(Powerchip Semiconductor,PSC)今天宣布,兩家公司已簽署一項(xiàng)制造協(xié)議和一項(xiàng)技術(shù)及銷售授權(quán)協(xié)議。兩項(xiàng)協(xié)議均適用于瑞薩的4Gb AG-AND閃存器件。

               新的協(xié)議建立在兩家公司之間在1Gb存儲(chǔ)器件領(lǐng)域的現(xiàn)有合作關(guān)系之上,擴(kuò)展了瑞薩與Powerchip Semiconductor之間的商業(yè)合作范圍。這一進(jìn)展將通過(guò)進(jìn)一步增加AND閃存資源為用戶提供更多的便利。

              瑞薩將通過(guò)重新調(diào)整戰(zhàn)略焦點(diǎn)產(chǎn)品如系統(tǒng)級(jí)大規(guī)模集成電路(LSI)來(lái)加速資源的選擇和集中管理。

              除了其目前的兩條300mm晶圓生產(chǎn)線12A/12B外,BPSC正在將設(shè)備轉(zhuǎn)向其新近采用的Fab 12M晶圓生產(chǎn)線,以便生產(chǎn)出高密度閃存,這也將進(jìn)一步鞏固PSC滿足快速增長(zhǎng)的閃存市場(chǎng)的能力。






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