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          飛兆借助新款帶短路功能的IGBT提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)效率和可靠性

          —— 600V IGBT提高功率密度,滿足嚴(yán)格的能效指標(biāo)
          作者: 時(shí)間:2012-09-06 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)產(chǎn)品供應(yīng)商半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)已經(jīng)擴(kuò)充其短路額定產(chǎn)品組合,為設(shè)計(jì)者提供更高的效率、功率密度和可靠性,以便支持低損耗和短路耐用性至關(guān)重要的三相應(yīng)用。  

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/136529.htm

           

            這些600V 提供5A至15A的電流額定值,通過(guò)低VCE(sat)額定值能夠最大限度地減少功率損耗,同時(shí)滿足嚴(yán)格的節(jié)能指標(biāo)。 這些器件具有10µs的短路耐受時(shí)間(VCE=350V、VGE=15V、 Rg=100?、 Tj=150?C時(shí))和快速開關(guān)速度,從而可提高系統(tǒng)效率。

            特性和優(yōu)勢(shì):

          • FGB7N60UNDF和FGB5N60UNDF具有業(yè)界較低的2.1V VCE(sat) 額定值,因而通態(tài)傳導(dǎo)損耗損耗更低。
          • FGP10N60UNDF/FGP15N60UNDF和FGPF10N60UNDF/FGPF15N60UNDF具有業(yè)界較低的關(guān)斷損耗(Eoff) 特性,可最大限度地減少高頻條件(15kHz 開關(guān)載波頻率)下的功率損耗。
          • 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

            封裝和報(bào)價(jià)信息(訂購(gòu)1,000個(gè),單價(jià))

            按請(qǐng)求提供樣品。交貨期:收到訂單后8-12周內(nèi)

          • D2PAK封裝:  FGB7N60UNDF - 每個(gè)0.87美元;FGB5N60UNDF - 每個(gè)0.92美元
          • TO-220 封裝:  FGP10N60UNDF - 每個(gè)1.03美元;FGP15N60UNDF - 每個(gè)1.15美元
          • TO-220F封裝:  FGPF10N60UNDF - 每個(gè)1.05美元;FGPF15N60UNDF - 每個(gè)1.20美元

            作為半導(dǎo)體完整電機(jī)控制解決方案的一部分,這些600V 如與 FAN7389(高電平有效)和FAN73892(低電平有效)單片三相柵極驅(qū)動(dòng)IC配對(duì)使用可發(fā)揮最佳性能。 憑借此類綜合解決方案以及廣泛的SPM® 器件、IGBT、柵極驅(qū)動(dòng)器、PFC-PWM組合、MOSFET、光電晶體管和二極管,使在功率敏感應(yīng)用中成為需要最大限度地節(jié)省能耗的電路設(shè)計(jì)人員的理想解決方案。



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