三星選擇RFMD的POWERSMART支持其新一代智能手機

　　高性能射頻組件以及復合半導體技術設計和制造領域的全球領導者RF Micro Devices, Inc.(Nasdaq 股市代號：RFMD)日前宣布，公司推出的業(yè)內(nèi)首款也是唯一一款聚合的多模多頻 (MMMB) 功率放大器PowerSmart Power Platforms現(xiàn)已用于三星新一代智能手機 GALAXY Note II。

　　RFMD 總裁兼首席執(zhí)行官 Bob Bruggeworth 表示：“很高興我們的產(chǎn)品可以支持三星新一代智能手機 GALAXY Note II 及其各種令人興奮的產(chǎn)品系列中的眾多其他旗艦設備。借助 GALAXY Note II 走向大批量出貨，RFMD 現(xiàn)已擴展了其覆蓋三星產(chǎn)品組合的各個層次和細分市場。在未來數(shù)月內(nèi)，我們期待覆蓋更多的設備和基帶架構(gòu)，將我們與三星的業(yè)務擴展至覆蓋更多的功率放大器、增量開關系列產(chǎn)品以及新的高性能 WiFi 前端。”

　　三星智能手機 GALAXY Note II 的一大亮點是 5.5 英寸高清 Super AMOLED 屏幕，視覺效果驚人，細節(jié)十分清晰。其屏幕比例為 16:9，可以帶給您身臨其境、妙趣橫生的影院級視頻觀看體驗，是您在旅途上觀看高清視頻的最佳選擇。 GALAXY Note II 還配置了強大的 1.6GHz 四核處理器及 HSPA Plus 或 4G LTE 連通性，可輕松完成多重任務處理，屏幕過渡快如閃電，瀏覽器性能強大，應用程序加載時間極短。此外，它還配備了一個 800 萬像素的后置攝像頭和一個 190 萬像素的前置攝像頭，均具備高清視頻錄制功能。三星 GALAXY Note II 即將于 10 月首先在歐洲、亞洲、及中東主要市場上推出。

　　RFMD 為三星提供廣泛的 3G/4G 前端解決方案，包括 PowerSmart、超高效率 3G/4G 功率放大器、高性能開關以及先進的電源管理解決方案。 RFMD 為三星所有領先的基帶架構(gòu)提供支持，而且，RFMD 廣泛的產(chǎn)品組合可支持三星所有主要類別的產(chǎn)品。

　　RFMD 的 PowerSmart 功率平臺具有業(yè)內(nèi)領先的集成性、設計靈活性及可定制性，讓智能手機生產(chǎn)商無需顧及模式和頻帶規(guī)格就能跨地域、跨網(wǎng)絡快速配置智能手機平臺。