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          Ramtron推出F-RAM存儲(chǔ)器模塊

          —— 通過在基于飛思卡爾系統(tǒng)的解決方案中采用F-RAM存儲(chǔ)器快速構(gòu)建原型
          作者: 時(shí)間:2012-10-10 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            世界領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器()和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商 International Corporation (簡稱)宣布,現(xiàn)已提供可與半導(dǎo)體公司廣受歡迎的Tower System開發(fā)平臺(tái)共用的全新存儲(chǔ)器模塊(TWR-FRAM)。TWR-FRAM使用了 核心存儲(chǔ)器和集成產(chǎn)品的超級(jí)集合 (superset),為采用基于ARM Cortex的Kinetis和i.MX、ColdFire、PowerQUICC、QorIQ和其它微控制器和微處理器方案來開發(fā)產(chǎn)品的工程師提供了一個(gè)易于使用的平臺(tái),以便在其設(shè)計(jì)方案中演示、評(píng)測(cè)和使用Ramtron的F-RAM存儲(chǔ)器。  

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/137490.htm

           

            Ramtron的F-RAM核心存儲(chǔ)器和集成產(chǎn)品是要求高數(shù)據(jù)完整性和超低功耗等應(yīng)用的理想選擇——這與在汽車、工業(yè),使能技術(shù)和聯(lián)網(wǎng)方面的目標(biāo)市場(chǎng)完全吻合。F-RAM固有高耐用性、快速單周期和對(duì)稱讀/寫速度、低能耗、伽瑪輻射耐受性和抗電磁噪聲干擾能力。TWR-FRAM經(jīng)過設(shè)計(jì),可讓客戶使用Ramtron的全部產(chǎn)品線來開發(fā)產(chǎn)品,提供高達(dá)8Mb的核心存儲(chǔ)器產(chǎn)品和精選存儲(chǔ)器接口(SPI、I2C或并行),以及Ramtron處理器伴侶、狀態(tài)保存器,還有單獨(dú)銷售的WM72016-6-EVAL等無線存儲(chǔ)器產(chǎn)品的接口?! ?/p>

           

            價(jià)格和供貨

            Ramtron的TWR-FRAM存儲(chǔ)器模塊備有庫存,通過富昌電子 (Future Electronics)、Digi-Key和Mouser Electronics公司在世界各地供貨,客戶也可以通過Alltek、Tokyo Electron Devices、WT Micro和Farnell等Ramtron /飛思卡爾共同授權(quán)分銷商訂購TWR-FRAM。雖然TWR-FRAM特別采用飛思卡爾的Kinetis K53 Tower System kit (TWR-K53N512-KIT)來開發(fā),但如果設(shè)計(jì)作為外設(shè)模塊使用,可以與任何飛思卡爾Tower System控制器或處理器模塊共用,構(gòu)成完整的Tower System組件。



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