Vishay的17款新器件擴充600V N溝道功率MOSFET系列
—— 新的E系列器件具有低至39m?的導通電阻和7A~73A電流,采用的超級結技術可實現低FOM和高功率密度,具有8種封裝
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件,將該系列MOSFET在10V下的導通電阻擴展到39m?~600m?,將最高電流等級擴展至7A~73A。新的E系列MOSFET采用Vishay的下一代超級結技術,使公司進入使用功率轉換技術的增量市場,包括照明、適配器和高功率可再生能源系統。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/138044.htm當前發(fā)布的器件使600V E系列MOSFET的器件數量增加到27個。所有的E系列器件都具有超低的導通電阻和柵極電荷,可實現極低的傳導損耗和開關損耗,從而在功率因數校正、服務器和通信電源系統、焊接、不間斷電源(UPS)、電池充電器、LED照明、半導體生產設備、適配器和太陽能電池逆變器等高功率、高性能的開關應用中節(jié)約能源。
器件可承受雪崩和通信模式中的高能脈沖,保證通過100% UIS測試時達到極限條件。MOSFET符合RoHS指令。
這些新款功率MOSFET現可提供樣品,量產訂貨的供貨周期為十六周到十八周。
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