羅姆開發(fā)出超低VF小型肖特基勢壘二極管

　　日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都)面向智能手機等便攜設(shè)備開發(fā)出業(yè)界頂級的低VF小型肖特基勢壘二極管“RBE系列”。

　　本產(chǎn)品已經(jīng)以月產(chǎn)500萬個的規(guī)模開始量產(chǎn)，隨著客戶采用的增加，從2012年9月份開始將產(chǎn)能擴充為每月1000萬個?！?/p>

 

　　此次，產(chǎn)品陣容中新增了更加小型的VML2封裝(1.0×0.6mm)。通過這些產(chǎn)品，將非常有助于便攜設(shè)備節(jié)省空間。

　　生產(chǎn)基地位于ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國)、ROHM Electronics Philippines, Inc.(菲律賓)、ROHM Semiconductor (China) Co., Ltd.(天津)、ROHM Semiconductor Korea Corporation(韓國)、ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.(馬來西亞)。

　　近年來，智能手機等便攜設(shè)備的多功能化日益加速，對電池的長時間驅(qū)動需求強勁。降低耗電量成為首要課題，電源電路日趨向低電壓、大電流化方向發(fā)展。為此，電源電路中采用的肖特基勢壘二極管需要低VF且平均整流電流較高的產(chǎn)品。但是，為了降低VF并且實現(xiàn)大電流化，需要增加芯片尺寸，因此很難滿足對“小型”的需求。

　　此次羅姆通過優(yōu)化二極管的元件結(jié)構(gòu)，大幅改善了電流效率。與以往的相同封裝產(chǎn)品相比，VF降低了約32%，實現(xiàn)了業(yè)界頂級的低VF。由此，可以大幅抑制施加正向電流所產(chǎn)生的發(fā)熱，相同封裝也可確保大電流。

　　另外，由于確保了大電流，可以實現(xiàn)比以往封裝產(chǎn)品更加小型封裝的設(shè)計(在相同額定電流下相比)，最大安裝面積消減了約80%。

　　羅姆今后會不斷追求更加小型、低VF、大電流化，不斷完善滿足客戶需求的產(chǎn)品陣容?！　?/p>

 

　　<特點>
　　1) 小型封裝，確保大電流
　　業(yè)界頂級的低VF，以小型封裝可確保大電流?！　?/p>