新型IGZO TFT驅(qū)動(dòng)的OLED面板首次在日本公開(kāi)

　　日本半導(dǎo)體能源研究所在太平洋橫濱國(guó)際會(huì)展中心舉行的"FPD International 2012"(2012年10月31～11月2日)上，展示了13.5英寸和3.4英寸的OLED面板。該研究所在2012年6月曾于美國(guó)波士頓舉行的"SID 2012"上與夏普共同發(fā)表過(guò)相關(guān)技術(shù)，此次是首次在日本面向公眾公開(kāi)。

　　13.5英寸的OLED面板

　　13.5英寸產(chǎn)品為3840×2160像素(4K×2K)，3.4英寸產(chǎn)品為960×540像素。精細(xì)度均高達(dá)326ppi。驅(qū)動(dòng)元件采用氧化物半導(dǎo)體TFT，利用使IGZO層沿c軸方向結(jié)晶生長(zhǎng)的"CAAC(C-Axis Aligned Crystal)"構(gòu)造。采用在白色OLED元件上使用RGB三色彩色濾光片的方式實(shí)現(xiàn)了彩色顯示。OLED元件構(gòu)造為從TFT基板相反一側(cè)提取光的頂部發(fā)光型。3.4英寸產(chǎn)品通過(guò)采用樹(shù)脂基板實(shí)現(xiàn)了柔性化。

　　3.4英寸的柔性O(shè)LED面板

　　據(jù)半導(dǎo)體能源研究所介紹，上述開(kāi)發(fā)品均"通過(guò)反復(fù)試制提高了顯示特性"。驅(qū)動(dòng)元件在半導(dǎo)體能源研究所的全資子公司Advanced Film Device Inc試制，OLED元件在半導(dǎo)體能源研究所試制。

　　3.4英寸試制品將OLED元件的元件構(gòu)造由從TFT基板提取光的底部發(fā)光型變更為頂部發(fā)光型。重2g，厚度不到0.1mm。制作方法為，首先在玻璃基板上形成驅(qū)動(dòng)元件和OLED元件等，然后再移到樹(shù)脂基板上，從而實(shí)現(xiàn)了柔性化。