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          羅姆在“功率元器件”的發(fā)展與“電源IC技術(shù)”的變革

          作者: 時(shí)間:2012-11-13 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            [圖8]一體化封裝電源系列  

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/138824.htm

          ※:根據(jù)調(diào)查(截至2012年11月13日)

            另外,為了在鋰離子電池環(huán)境下使用僅可在5V電壓下使用的IC,采用BZ1AxxGM系列也是有效的手段。輸入電壓范圍較寬的IC為了適應(yīng)鋰離子電池較寬的電源電壓范圍,需要犧牲的特性也為數(shù)不少。而不失去這些特性的手段之一就是利用BZ1AxxGM系列制作的5V電壓。

            一體化封裝電源是作為“所有的部件集成于1枚芯片”的IC連接目標(biāo)的中間產(chǎn)品。我們預(yù)想,電源部所使用的高耐壓和大電流的功率元器件、大容量電容及支持大電流的線圈確實(shí)無法在21世紀(jì)單芯片化。積極致力于走在22世紀(jì)前端的一體化封裝電源的開發(fā),敬請期待未來具有前瞻性的的產(chǎn)品陣容。

            今后

            而在羅姆提出的四大發(fā)展戰(zhàn)略注13中,其中之一便是“強(qiáng)化以為核心的功率元器件產(chǎn)品”。其實(shí),羅姆在功率元器件領(lǐng)域的不斷發(fā)展中,為推進(jìn)節(jié)能減排,羅姆也一直致力于以新一代元件碳化硅(),氮化鎵(GaN)為原材料的產(chǎn)品的研發(fā),并已陸續(xù)推出了適用于不同業(yè)界的各種解決方案,利用高新技術(shù)將這兩種“理想器件”植入生活的各個(gè)層面。通過在高效化、大電流化、高耐壓化、小型化、模塊化等各個(gè)方面的研發(fā),帶來更多精彩的呈現(xiàn)。

            即將于2012年11月16~21日在深圳舉辦的第十四屆高交會(huì)電子展上,您將在羅姆展臺上看到在這里介紹的功率元器件和電源IC等眾多產(chǎn)品,歡迎蒞臨現(xiàn)場,親身體驗(yàn)!

            <術(shù)語解說>

            注1:SJ-MOSFET
            超級結(jié)MOSFET的縮寫。即超級結(jié)金屬氧化物場效應(yīng)三極管。

            注2:MOSFET
            Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor的縮寫。即金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管,是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。

            注3:雙極晶體管
            又稱雙極型晶體管(Bipolar Transistor),由兩個(gè)背靠背PN結(jié)構(gòu)成的具有電流放大作用的晶體三極管。

            注4:肖特基勢壘二極管(SBD)
            肖特基勢壘二極管(Schottky Barrier Diode,縮寫成SBD)是一種熱載流子二極管。

            注5:快速恢復(fù)二極管(FRD)
            快速恢復(fù)二極管(Fast Recovery Diode,縮寫成FRD)是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管。

            注6:二極管(Di)
            又稱晶體二極管,簡稱二極管(Diode,縮寫成Di),是一種具有單向傳導(dǎo)電流的電子器件。

            注7:齊納二極管
            又稱穩(wěn)壓二極管,是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件。

            注8:
            Silicon Carbide的縮寫。即碳化硅,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑為原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

            注9:GaN
            即氮化鎵,屬第三代半導(dǎo)體材料,六角纖鋅礦結(jié)構(gòu)。

            注10:LDO
            Low Dropout Regulator的縮寫。即低壓差線性穩(wěn)壓器。

            注11:DC/DC轉(zhuǎn)換器
            是轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。

            注12:FET
            Field Effect Transistor的縮寫。場效應(yīng)晶體管,簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。

            注13:四大發(fā)展戰(zhàn)略
            2008年羅姆于創(chuàng)立50周年之際,面向未來50年提出發(fā)展戰(zhàn)略。其中包括:

            (1)相乘戰(zhàn)略:羅姆將融合模擬IC及LAPIS Semiconductor的數(shù)字LSI技術(shù),開拓汽車、工控市場。
            (2)功率元器件戰(zhàn)略:以SiC為核心的元器件技術(shù)及依據(jù)功率IC的控制技術(shù),以及將二者合二為一的模塊技術(shù),融合這三項(xiàng)技術(shù),不斷為節(jié)能環(huán)保做出貢獻(xiàn)。
            (3)LED戰(zhàn)略:以LED照明為核心,從LED貼片、驅(qū)動(dòng)IC到電源模塊提供綜合性的LED綜合解決方案。
            (4)傳感器戰(zhàn)略:羅姆于2009年將MEMS加速度傳感器的供應(yīng)商Kionix公司納入集團(tuán),以世界頂級的產(chǎn)品陣容,滿足傳感器市場的各種需求。


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