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          IR推出第八代1200V IGBT技術(shù)平臺(tái)

          —— 提供適合工業(yè)應(yīng)用的基準(zhǔn)效率和耐用性
          作者: 時(shí)間:2012-11-21 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱) 推出新一代絕緣柵雙極型晶體管 () 技術(shù)平臺(tái)。全新第八代 () 1200V 技術(shù)平臺(tái)采用的新一代溝道柵極場(chǎng)截止技術(shù),為工業(yè)及節(jié)能應(yīng)用提供卓越性能?! ?/p>本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/139159.htm

           

            全新的設(shè)計(jì)可讓高性能Vce(on) 降低功耗及增加功率密度,并可提供超卓的耐用性。亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“通過開發(fā)全新基準(zhǔn)技術(shù)及頂尖的硅平臺(tái),彰顯出IR在數(shù)十年來致力提升功率電子技術(shù)的承諾。我們期望為所有電動(dòng)馬達(dá)提供百分之百變頻,以期更有效地使用電能及綠化環(huán)境。”

            新技術(shù)針對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供更好的軟關(guān)斷功能,有助于把dv/dt降到最低,從而減少電磁干擾、抑制過壓,從而提升可靠性與耐用性。這個(gè)平臺(tái)的參數(shù)分布較窄,在高電流功率模塊內(nèi)并聯(lián)起多個(gè)IGBT之時(shí),可提供出色的電流分配。薄晶圓技術(shù)則改善了熱電阻和達(dá)到175°C的最高結(jié)溫。

            潘大偉補(bǔ)充道:“IR的 IGBT平臺(tái)旨在為工業(yè)應(yīng)用提供卓越技術(shù)。該IGBT平臺(tái)憑借高性能Vce(on)、超卓的耐用性及一流的開關(guān)功能,使工業(yè)市場(chǎng)中的艱巨難題迎刃而解。”

            產(chǎn)品規(guī)格
                 

           

            產(chǎn)品供應(yīng)

            IR Gen8 1200V IGBT平臺(tái)的樣本已開始提供給各大原始設(shè)備制造商 (OEM) 及原始設(shè)計(jì)制造商 (ODM) 合作伙伴。



          關(guān)鍵詞: IR Gen8 IGBT

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