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          Spansion在NOR閃存市場(chǎng)的新進(jìn)展

          作者:萬(wàn)翀 時(shí)間:2012-11-22 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            作為閃存最重要的領(lǐng)導(dǎo)廠商之一,公司最近發(fā)布了其并行閃存的最新產(chǎn)品,業(yè)界首款單芯片 閃存。該系列產(chǎn)品是 GL并行NOR產(chǎn)品線的最新成員,也是65nm GL-S產(chǎn)品系列的補(bǔ)充。Spansion公司NOR產(chǎn)品營(yíng)銷副總裁Jackson Huang介紹說(shuō),Spansion NOR閃存的讀取速度可達(dá)95MB/s,編程速度為1.8MB/s,是目前市面上讀取速度最快的產(chǎn)品同時(shí)也是目前市面上最高容量的NOR Flash,該產(chǎn)品主要針對(duì)消費(fèi)、汽車、游戲、電信和工業(yè)等應(yīng)用。該系列產(chǎn)品正式量產(chǎn)時(shí)將由SMIC武漢工廠代工,Jackon Huang表示對(duì)產(chǎn)品的良率很滿意,在市場(chǎng)上非常有競(jìng)爭(zhēng)力,并沒有透露具體的產(chǎn)品良率。

          Spansion公司NOR產(chǎn)品營(yíng)銷副總裁Jackson Huang

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/139241.htm

            Spansion一如既往采用了Spansion的MirroBit技術(shù)來(lái)制造最新的系列NOR閃存。目前技術(shù)主要是使用Spansion的并行NOR閃存和SPI產(chǎn)品上,是Spansion獨(dú)有的技術(shù),沒有直接授權(quán)給其它公司使用。Jackson Huang介紹說(shuō),和傳統(tǒng)的浮柵技術(shù)相比,主要優(yōu)點(diǎn)是:存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)更簡(jiǎn)單,縱向上比浮柵更??;能夠降低耦合與干擾,從而提高性能和可靠性;易于實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)。MirroBit實(shí)質(zhì)上是一種電荷陷阱技術(shù),最早是在Spansion從AMD獨(dú)立出來(lái)之前,由AMD在2002年發(fā)布。有資料稱,最初開發(fā)該技術(shù)是為了降低NOR閃存的制造成本,提高NOR閃存的存儲(chǔ)密度,并與Intel的MLC(Multi-Level Cell)NOR技術(shù)在成本上相抗衡。和傳統(tǒng)浮柵最明顯的區(qū)別在于,MirrorBit技術(shù)使用了一個(gè)電荷陷阱層來(lái)替代傳統(tǒng)的浮柵,電荷陷阱層是絕緣體,而浮柵是導(dǎo)體。MirrorBit同時(shí)也利用了用于存儲(chǔ)電荷的氮化物不導(dǎo)電的特性,讓兩個(gè)bit可以共享同一個(gè)存儲(chǔ)單元。

          MirrorBit技術(shù)示意圖


          浮柵技術(shù)和MirrorBit對(duì)比

            雖然Spansion最近在NOR閃存方面市場(chǎng)表現(xiàn)不錯(cuò),但是,放眼整個(gè)NOR閃存的總體市場(chǎng),似乎有增長(zhǎng)放緩、甚至是逐漸萎縮下滑的趨勢(shì),特別是受到NAND閃存的沖擊,前景似乎面臨了重大挑戰(zhàn)。有資料表明,2010年使用NOR閃存的手機(jī)占14%,而現(xiàn)在已經(jīng)降至7%以下,被NAND取代了大量份額。對(duì)于NOR閃存市場(chǎng)的走勢(shì),Jackon Huang認(rèn)為:“我們認(rèn)為NOR閃存市場(chǎng)還是相當(dāng)穩(wěn)固的。NOR里面分成兩大類,一種是并行的,還有一種是SPI的NOR閃存?,F(xiàn)在低階的并行NOR閃存逐漸被SPI所取代,但中高階的市場(chǎng)還是非常穩(wěn)固的,這也正是我們公司產(chǎn)品所針對(duì)的目標(biāo)市場(chǎng)。”

            筆者認(rèn)為,NOR閃存的編程、擦寫速度是其最致命的短板。雖然和NAND閃存相比,NOR閃存的可靠性更高,但在分量極重的消費(fèi)電子產(chǎn)品市場(chǎng),面對(duì)NAND閃存的價(jià)格優(yōu)勢(shì)以及不可同日而語(yǔ)的寫入速度,NOR閃存被NAND閃存所取代,并不是不可能的事?,F(xiàn)在NOR閃存應(yīng)該做的,或許是守住那些對(duì)讀取速度和可靠性要求高,但不強(qiáng)調(diào)寫入速度的應(yīng)用領(lǐng)域,例如汽車、工業(yè)、醫(yī)療,或是消費(fèi)電子的系統(tǒng)固件等。



          關(guān)鍵詞: Spansion NOR GL-T 45nm 8Gb MirrorBit

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