賽普拉斯推出快速寫(xiě)入非易失性存儲(chǔ)器

　　賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，該公司在其產(chǎn)品系列中整合了Ramtron International的鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F-RAM)產(chǎn)品，提供了市場(chǎng)上最豐富的快速寫(xiě)入非易失性存儲(chǔ)器容量范圍選擇。F-RAM是業(yè)界最低功耗的非易失性存儲(chǔ)器，為賽普拉斯全球速度最快的非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器提供了有效補(bǔ)充。這種全新組合能夠充分滿足大量不同應(yīng)用對(duì)于斷電時(shí)保存數(shù)據(jù)的需求。賽普拉斯的nvSRAM和Ramtron F-RAM產(chǎn)品總共的全球出貨量已超過(guò)10億。

　　賽普拉斯于2012年11月20日正式完成Ramtron的并購(gòu)。賽普拉斯保留Ramtron的器件型號(hào)，這些器件型號(hào)涵蓋了市場(chǎng)上最豐富的F-RAM器件容量，保留器件型號(hào)也便于支持現(xiàn)有的F-RAM客戶。超過(guò)95%的量產(chǎn)器件不會(huì)因?yàn)椴①?gòu)出現(xiàn)供應(yīng)中斷的問(wèn)題，包括所有深受歡迎的串行F-RAM存儲(chǔ)器和處理器伴侶(processor companion)。除了流行的串行和并行接口存儲(chǔ)器之外，賽普拉斯非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品系列還包括RFID標(biāo)簽常用的無(wú)線存儲(chǔ)器以及在同一封裝中結(jié)合非易失性存儲(chǔ)器與實(shí)時(shí)時(shí)鐘的集成產(chǎn)品。

　　賽普拉斯存儲(chǔ)器產(chǎn)品業(yè)務(wù)部執(zhí)行副總裁Dana Nazarian指出：“Ramtron開(kāi)發(fā)的F-RAM技術(shù)具有業(yè)界領(lǐng)先的性能，賽普拉斯致力于通過(guò)我們豐富的制造技術(shù)、出色的全球銷售團(tuán)隊(duì)以及廣泛的經(jīng)銷網(wǎng)絡(luò)為這些產(chǎn)品提供巨大支持。我們計(jì)劃在F-RAM技術(shù)領(lǐng)域投入研發(fā)資源，這也是我們存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)的有機(jī)組成部分。”

　　賽普拉斯非易失性產(chǎn)品業(yè)務(wù)部副總裁Babak Taheri指出：“F-RAM為我們的非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品系列帶來(lái)了巨大優(yōu)勢(shì)和多樣化功能。在我們的nvSRAM產(chǎn)品基礎(chǔ)上補(bǔ)充增加F-RAM解決方案，使我們的客戶能獲得各種最終市場(chǎng)所需的最佳速度和功耗解決方案。”

　　F-RAM和nvSRAM本身屬于非易失性技術(shù)，不需要電池備份。F-RAM存儲(chǔ)器單元本身具有10萬(wàn)億次的高耐用性，快速單周期和對(duì)稱讀∕寫(xiě)速度，低能耗、gamma輻射耐受性和抗電磁干擾功能。這些特性使其理想適用于汽車、智能儀表、醫(yī)療設(shè)備、ePOS和打印機(jī)等多種不同應(yīng)用。

　　賽普拉斯的nvSRAM采用其S8 0.13微米SONOS(氧化硅氮氧化硅)嵌入式非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)制造，能夠支持更多的存取次數(shù)以及更高的密度和性能。nvSRAM具有無(wú)限次讀寫(xiě)和取回周期，數(shù)據(jù)保留時(shí)間長(zhǎng)達(dá)20年，使其理想適用于需要持續(xù)高速寫(xiě)入數(shù)據(jù)和需要絕對(duì)非易失性數(shù)據(jù)安全的應(yīng)用(如RAID、SSD、工業(yè)自動(dòng)化、計(jì)算和游戲應(yīng)用等)。