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          飛兆陽極短路型IGBT具有高可靠性和卓越開關性能

          —— 高電壓IGBT可降低系統(tǒng)整體成本、電路板尺寸和總功耗
          作者: 時間:2013-01-29 來源:電子產品世界 收藏

            高功率和高頻率感應加熱(IH)家用電器需要更低的傳導損耗和卓越的開關性能,以便在IH電飯煲、臺式電磁爐和基于逆變器的微波爐等應用中實現更高的效率和系統(tǒng)可靠性。 半導體的高電壓場截止陽極短路(Shorted Anode) trench 可針對這些設計挑戰(zhàn)為設計人員提供經濟實惠且高效的解決方案?! ?/p>本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/141527.htm

             該款全新產品系列針對軟開關應用,在1000V至1400V的電壓范圍內,利用固有的反并聯(lián)二極管進行了優(yōu)化。 隨著超越典型非穿通型(NPT) 技術的不斷進步,半導體的陽極短路硅技術可提供更低的飽和電壓,比額定功率相同的NPT-trench 要低12%以上。 此外,如果與競爭對手的IGBT產品相比,該產品系列的拖尾電流速率要低20%以上。 由于具有這些豐富特性,半導體先進的IGBT因而能提供更佳的熱性能、更高的效率以及更低的功耗。

            特點與優(yōu)勢:
            · 高速開關頻率范圍: 10至50 kHz
            · 業(yè)界最低的拖尾電流,可改進開關損耗(FGA20S140P)
            · 與現有的NPT trench IGBT相比,飽和壓降更低
            · 電位計檢測抗噪能力強健,可提高可靠性
            · 高溫穩(wěn)定特性: Tj(max) = 175 ºC
            · 符合RoHS標準(無鉛引腳電鍍)

            封裝和報價信息(1,000片起訂,價格單位:美元)
            按請求提供樣品。交貨期:收到訂單后8-12周內

            采用TO-3P 3L封裝:
            · 1250V FGA20S125P $2.03
            · 1250V FGA25S125P $2.03
            · 1300V FGA30S120P $5.25
            · 1400V FGA20S140P $2.25

            采用TO-247 3L封裝:
            · 1300V FGH30S130P $3.40

            飛兆半導體的場截止陽極短路trench IGBT提供業(yè)界領先的技術,以應對在當今設計中遇到的能效和形狀因數挑戰(zhàn)。 這些應用都是飛兆半導體節(jié)能型功率模擬IC、功率分立式器件和光電子器件解決方案的一部分,而這些解決方案可在功率敏感型應用中實現最大限度的節(jié)能。

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          關鍵詞: 飛兆 IGBT

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