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          全片內(nèi)LDO頻率特性的簡化電路分析方法
          
						
          
				作者：楊潔 楊艷軍
				時間：2013-02-07
				來源：電子產(chǎn)品世界

				
				
				
				
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          　　摘要：對于無片外大電容的低壓差線性穩(wěn)壓器來說，用建立小信號模型來分析系統(tǒng)傳輸函數(shù)從而推出零極點分布的方法過于復(fù)雜繁瑣，本文提出一種簡化電路分析方法，可以不用復(fù)雜的化簡和計算就可以得出LDO的零極點位置分布，并通過幾種LDO頻率補償方式為例介紹該方法的應(yīng)用，最后通過仿真驗證了此方法的準確性。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/141878.htm

          　　引言
          

          　　對于全片內(nèi)LDO而言，由于沒有片外大電容，故很大程度上LDO的穩(wěn)定性成為全片內(nèi)LDO設(shè)計的難點。而頻率特性是衡量穩(wěn)定性的重要指標，只有清楚電路的零極點的位置分布，才可以對LDO的穩(wěn)定性進行補償，最常見的方法就是通過建立小信號模型，利用KCL和KVL等定理對各個方程式進行化簡，得出系統(tǒng)傳輸函數(shù)，但這種方法需要的計算量比較大，隨著補償電容和級數(shù)的增加，計算會越來越繁瑣，不利于快速分析。本文的工作主要是提出一種通過利用簡化框圖的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)在分析極點和零點時各采用不同假設(shè)從而得到不同的電流通路，可以快速分析出LDO系統(tǒng)零極點的分布情況，最后并通過仿真驗證了該方法的可靠性。
          

          　　傳統(tǒng)的小信號分析方法
          

          　　如圖1所示，普通無片外電容LDO結(jié)構(gòu)一般由誤差放大器(EA)，調(diào)整管MP以及電阻反饋網(wǎng)絡(luò)RF1、RF2組成，CL是一個容值很小的電容，對于片內(nèi)集成的LDO來說，一般只有1pF~50pF左右。以密勒補償為例，采用傳統(tǒng)的小信號分析方法，如圖2?！　?/p>

           
          

          　　其中個gm1和ro1分別為誤差放大器的跨導(dǎo)和輸出電阻，gmp和rds分別為調(diào)整管的跨導(dǎo)和溝道電阻，Cgs和Cgd分別為調(diào)整管的柵源電容和柵漏電容，Cc為密勒補償電容。根據(jù)KVL和KCL定理可得如下關(guān)系：　　
          

          

          
				
            
                
			
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