德州儀器柵極驅動器旨在滿足IGBT與SiC FET設計需求

　　日前，德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款面向絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 與碳化硅 (SiC) FET 的 35 V 單通道輸出級電源管理柵極驅動器。TI 支持拆分輸出的最新 UCC27531 與 UCC27532 輸出級柵極驅動器可為隔離式電源設計提供最高效率的輸出驅動功能、最低的傳播延遲以及更高的系統(tǒng)保護力，以充分滿足太陽能 DC/AC 逆變器、不間斷電源供應以及電動汽車充電等應用需求。

　　當前的可再生能源應用需要電源組件的支持，以更高效率安全地提高供電量。設計人員喜歡采用 IGBT 或最新 SiC FET ，以在超過 400V 的電壓下降低功率損耗。這些器件不但支持高達 1,200 伏的關態(tài)電壓，而且還提供比同等 MOSFET 更低的導通電阻。它們通常由 TI 微控制器或專用數(shù)字電源控制器(如 UCD3138)管理。此外，基于 IGBT 和 SiC FET 的新一代設計方案還需隔離功率級高噪聲開關環(huán)境中的功率與信號。

　　UCC27531 和 UCC27532 可避免數(shù)字控制器運作時太靠近電源電路，從而延長隔離式電源設計方案的壽命?！　?/p>

 

　　UCC27531 的主要特性與優(yōu)勢：

• 強大的輸出驅動功能：2.5 A 源極與 5 A 汲極峰值電流支持更快的 IGBT 充電，可確保運作可靠高效;
• 最快速的傳播時間：17 納秒的典型延遲值可提高驅動器效率;
• 高可靠性：UVLO 設置與軌至軌輸出電壓可提供系統(tǒng)保護;
• 可處理高噪聲環(huán)境：負輸入電壓處理使驅動器能支持多種工業(yè)設計;
• 系統(tǒng)保護：拆分輸出配置可提高 Miller 接通抗擾度，防止 IGBT/MOSFET 損壞。

　　不斷壯大的 IGBT 驅動器系列

　　最新輸出級驅動器進一步壯大了 TI 驅動 IGBT 的模擬及數(shù)字控制器產(chǎn)品系列。ISO5500 等隔離式柵極驅動器可在大電流、高電壓設計方案中提高安全性與系統(tǒng)性能。此外，該驅動器還可在長時間內(nèi)、在不同溫度和濕度下確保 SiO2 電介質的穩(wěn)定性，提供業(yè)經(jīng)驗證的高可靠性。另外，TI 還提供龐大完善的單雙通道 5A 高速低側電源管理柵極驅動器之產(chǎn)品陣容，如 UCC2751x 和 UCC2752x 系列等。

　　供貨情況與價格

　　采用 6 引腳、SOT-23 封裝的 UCC27531 與 UCC27532 柵極驅動器現(xiàn)已開始供貨。同步提供的還有 UCC27531EVM-184 IGBT 驅動器子卡評估板，可通過 TI eStore 訂購。此外，PSpice 模型與《IGBT 35V 單通道柵極驅動器》應用手冊還有助于加速設計進程。