ARM：14nm FinFET之路仍有顛簸

　　自從ARM決定從行動(dòng)裝置跨足到伺服器市場(chǎng)后，無(wú)不加快自己在制程技術(shù)上的腳步，好能跟Intel一決高下，不過(guò)當(dāng)然還是必須協(xié)同主要合作夥伴(臺(tái)積電與三星)的技術(shù)進(jìn)度。對(duì)ARM來(lái)說(shuō)，去年年底宣布成功試產(chǎn)(Tape Out)14nm FinFET制程技術(shù)的三星，將是有助于提高自家處理器效能的關(guān)鍵，但目前仍有技術(shù)上的問(wèn)題必須克服。

　　日前ARM已正式對(duì)外公布2013年Q1財(cái)報(bào)，營(yíng)收同樣繼續(xù)維持成長(zhǎng)，主要營(yíng)收的大多比重皆是來(lái)自于IP技術(shù)授權(quán)(ARMv8、Mali、big.LITTLE技術(shù))。而低功耗一直以來(lái)都是ARM的強(qiáng)打特色，不過(guò)，隨著效能的不斷提升，功耗問(wèn)題就更明顯，反觀Intel這一兩年開(kāi)始對(duì)低功耗市場(chǎng)投以關(guān)愛(ài)眼神，再加上在制程技術(shù)方面Intel明顯優(yōu)于其他大廠，未來(lái)能夠推出高效能兼具低功耗的處理器也不無(wú)可能。

　　ARM表示，目前所合作的夥伴是透過(guò)DVFS(動(dòng)態(tài)電壓與頻率調(diào)節(jié))技術(shù)來(lái)設(shè)計(jì)SoC，除了能夠提升性能亦可降低負(fù)載，并且受惠于14nm FinFET制程技術(shù)更低的工作電壓，以及擴(kuò)大在低檔和過(guò)載條件下的電壓范圍，讓ARM的Big.Little架構(gòu)能夠在中低程度的工作負(fù)載下，得以提高高階產(chǎn)品的效能，同時(shí)更具效率。

　　不過(guò)隨著半導(dǎo)體技術(shù)所面對(duì)的困難及復(fù)雜程度日益距增，就連是身為半導(dǎo)體龍頭的Inte同樣在半導(dǎo)體路上舉步維艱。反觀對(duì)于正在期待14nm FinFET制程技術(shù)有所突破的ARM而言，不僅要面對(duì)希望產(chǎn)品盡快上市的壓力，更希望處理器能夠更加進(jìn)步，畢竟想要跟Intel在行動(dòng)裝置與伺服器市場(chǎng)比拼，就必須盡快提升自家與合作夥伴的技術(shù)進(jìn)度。