Molex推出下一代高性能超低功率存儲器技術(shù)

 　　(新加坡 – 2013年5月16日) 全球領(lǐng)先的全套互連產(chǎn)品供應(yīng)商Molex公司宣布推出空氣動力型DDR3 DIMM插座和超低側(cè)高DDR3 DIMM 存儲器模塊插座產(chǎn)品組合，兩個產(chǎn)品系列均適用于電信、網(wǎng)絡(luò)和存儲系統(tǒng)、先進計算平臺、工業(yè)控制和醫(yī)療設(shè)備中要求嚴苛的存儲器應(yīng)用。

　　DDR3是為支持800 -1600 Mbps的數(shù)據(jù)速率(頻率400 - 800 MHz)而制定的DDR DRAM接口技術(shù)，該數(shù)據(jù)速率是DDR2接口的兩倍。采用標準1.5V工作電壓，DDR3對比DDR2減少了30%的功耗。Molex的DDR3 DIMM插座的底座面比標準設(shè)計更低，在ATCA刀片系統(tǒng)中可以使用最大底座高度低于2.80 mm的極低側(cè)高模塊，新型DDR3 DIMM插座還具有10 mΩ的低電平接觸電阻，以便使用注冊DIMM模塊并且在刀片式服務(wù)器中降低功耗。

　　Molex產(chǎn)品經(jīng)理Douglas Jones表示：“隨著對更高帶寬的需求繼續(xù)增長，能夠以較快速率傳輸數(shù)據(jù)而不犧牲寶貴的空間或功率是至關(guān)重要的。使用DDR3 DIMM插座，讓我們的客戶不僅能夠充分利用最高性能的存儲器互連的優(yōu)勢，而且又能維持或減小現(xiàn)有封裝尺寸并降低功耗。”

　　Molex 空氣動力型DDR3 DIMM插座具有流線型外殼和閉鎖設(shè)計，以實現(xiàn)氣流最大化，并消除運作期間聚集的熱空氣。人類環(huán)境學閉鎖設(shè)計能夠?qū)崿F(xiàn)快速動作，并且輕易移開高密度存儲器模塊。2.40 mm的低底座面優(yōu)化了垂直空間，能更靈活地設(shè)計插座模塊的高度?？諝鈩恿π虳DR3 DIMM插座用于極低側(cè)高壓接(14.26 mm)、低側(cè)高壓接(22.03 mm)、低側(cè)高SMT (21.34 mm)和極低側(cè)高SMT (14.20 mm)高度，與標準壓接終端相比，這些壓接插座的針孔型順應(yīng)引腳更小，有效節(jié)省了寶貴的PCB空間，以適用于較高密度的電子線路設(shè)計。Molex所有空氣動力型DDR3 DIMM插座均符合RoHS標準，SMT型款不含有鹵素。

　　Molex超低側(cè)高DDR3 DIMM插座的底座面高僅1.10mm，為業(yè)內(nèi)最低。該插座在PCB上提供最高20.23 mm垂直空間，用于安裝高密度DIMM，適用于要求符合ATCA電路板機械規(guī)范的應(yīng)用，這項規(guī)范要求前PCB板一側(cè)的元件高度不能超過21.33 mm。超低側(cè)高DDR3 DIMM插座的閉鎖動作的角度較小，所需的PCB空間也比標準DIMM更少，既改善了氣流，又實現(xiàn)了更貼近的元件安裝。新型無鹵素插座具有玻璃填充的高溫尼龍外殼和閉鎖裝置，可以使用波峰焊和高溫紅外回流焊運作。