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	 > 元件/連接器 > 新品快遞 > Vishay大幅擴(kuò)充E系列650V N溝道功率MOSFET家族
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          Vishay大幅擴(kuò)充E系列650V N溝道功率MOSFET家族
          
						
          —— 新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級(jí)結(jié)技術(shù)，導(dǎo)通電阻低至30m?、電流達(dá)6A～105A，在8種封裝中實(shí)現(xiàn)低FOM和高功率密度
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2013-06-04
				來(lái)源：電子產(chǎn)品世界
				
				
				
				
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          　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，其E系列器件新增650V功率MOSFET。這些22款新器件采用8種不同封裝，將10V下的導(dǎo)通電阻擴(kuò)展到30mΩ～600mΩ，將最高電流等級(jí)擴(kuò)大為6A～105A。650V E系列MOSFET基于下一代Vishay Siliconix超級(jí)結(jié)技術(shù)，針對(duì)可再生能源、工業(yè)、照明、電信、消費(fèi)和計(jì)算市場(chǎng)中對(duì)輸入電壓安全裕量有額外要求的應(yīng)用，Vishay Siliconix拓展了器件的峰值性能指標(biāo)?！　?/p>本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/146033.htm

           
          

          　　新推出的器件使E系列的器件總數(shù)達(dá)到26個(gè)。所有E系列器件都具有超低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷，可實(shí)現(xiàn)極低的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗，可在功率因數(shù)校正、服務(wù)器和通信電源系統(tǒng)、焊接、不間斷電源(UPS)、電池充電器、LED照明、半導(dǎo)體制造設(shè)備、適配器和太陽(yáng)能逆變器等高功率、高性能開(kāi)關(guān)電源中節(jié)省能源。
          

          　　器件針對(duì)雪崩和通信模式中承受高能脈沖而設(shè)計(jì)，通過(guò)100%的UIS測(cè)試確保極限性能。MOSFET符合RoHS。
          

          　　器件規(guī)格表：　　
          

                   
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            Vishay
                        E系列
                        MOSFET
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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