飛兆的100V BOOSTPAK解決方案降低了系統(tǒng)成本
英飛凌汽車電子生態(tài)圈
飛兆半導(dǎo)體公司是高性能功率半導(dǎo)體和移動半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商，通過引入 100 V BoostPak 設(shè)備系列優(yōu)化 MOSFET 和二極管選擇過程，將 MOSFET 和二極管集成在一個封裝內(nèi)，代替 LED 電視 / 顯示器背光、LED 照明和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中目前使用的分立式解決方案。
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/146096.htm
通過將 MOSFET 和二極管集成到一個獨立封裝內(nèi)，F(xiàn)DD1600N10ALZD和FDD850N10LD設(shè)備節(jié)省了電路板空間，簡化了裝配，降低了材料清單成本并改進了應(yīng)用的可靠性。兩款產(chǎn)品的詳細資料，請訪問：http://datasheet.eepw.com.cn/datasheet/show/id/3120896和http://datasheet.eepw.com.cn/datasheet/show/id/3120897。
該元件的N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體 PowerTrench®工藝生產(chǎn)，這一先進工藝專用于最小化導(dǎo)通電阻，同時保持卓越的開關(guān)性能。 NP二極管為超快速整流器，帶低正向?qū)▔航?，具有出色的開關(guān)性能。 與肖特基二極管相比，其泄漏電流更低，改進了高溫應(yīng)用中的系統(tǒng)可靠性。
主要功能：
FDD1600N10ALZD:
RDS(ON) = 124 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V，ID = 3.4 A
RDS(ON) = 175 mΩ(典型值)@ VGS = 5 V，ID = 2.1 A
低柵極電荷 = 2.78 nC(典型值)
低反向電容 (Crss) = 2.04 pF(典型值)
FDD850N10LD:
RDS(ON) = 61 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V，ID = 12 A
RDS(ON) = 64 mΩ(典型值)@ VGS = 5.0 V，ID = 12 A
低柵極電荷 = 22.2 nC(典型值)
低反向電容 (Crss) = 42 pF(典型值)
都有：
快速開關(guān)
100%經(jīng)過雪崩測試
可提高dv/dt處理能力
符合 RoHS 標準
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