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	 > 電源與新能源 > 新品快遞 > Vishay新款-40V和-30V MOSFET擴(kuò)充Gen III P溝道產(chǎn)品
          
    
          

          

          


	
	
	

          
	
          
		
          
			
          Vishay新款-40V和-30V MOSFET擴(kuò)充Gen III P溝道產(chǎn)品
          
						
          —— 首款40V P溝道Gen III器件，首款PowerPAK 1212-8S封裝的30V MOSFET
          
						
          
				作者：
				時間：2013-07-12
				來源：電子產(chǎn)品世界

				
				
				
				
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          　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用PowerPAK® 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴(kuò)充其TrenchFET® Gen III P溝道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiS443DN在-10V和-4.5V柵極驅(qū)動下具有業(yè)內(nèi)較低的導(dǎo)通電阻，是首款-40V P溝道Gen III器件;SiSS27DN是首款采用PowerPAK 1212-8S封裝的-30V MOSFET。　　
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/147446.htm

           
          

          　　SiS443DN和SiSS27DN適用于24V、19V和12V負(fù)載開關(guān)，以及移動計(jì)算、智能手機(jī)和平板電腦中電源管理等各種應(yīng)用的適配器和電池開關(guān)。這些器件的低導(dǎo)通電阻在業(yè)內(nèi)領(lǐng)先，使設(shè)計(jì)者能夠在電路里實(shí)現(xiàn)更低的壓降，更有效地使用能源，并延長電池使用時間。
          

          　　在需要更高電壓的應(yīng)用里，3.3mm x 3.3mm PowerPAK 1212-8封裝的-40V SiS443DN提供11.7mΩ(-10V)和16mΩ(-4.5V)的最高導(dǎo)通電阻。在導(dǎo)通電阻非常重要的場合，SiSS27DN提供了極低的5.6mΩ(-10V)和9mΩ (-4.5V)導(dǎo)通電阻，采用高度0.75mm的PowerPAK 1212-8S封裝。
          

          　　SiS443DN和SiSS27DN進(jìn)行了100%的Rg和UIS測試。MOSFET符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2011/65/EU。
          

          　　器件規(guī)格表：　　
          

           
          

          　　新款P溝道MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十四周到十六周。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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          關(guān)鍵詞：
            			            Vishay
                        MOSFET
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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