理想二極管和熱插拔控制器實(shí)現(xiàn)電源冗余并隔離故障
只要 INPUT1 高于由 ON1 引腳端的 R1-R2 分壓器設(shè)定的 4.3V UV 門(mén)限,MH1 就接通,從而將 INPUT1 連接到輸出。當(dāng) MH1 接通時(shí),/PWRGD1 變低,這又將 ON2 拉低,并通過(guò)斷開(kāi) MH2 來(lái)停用 IN2 通路。如果主電源無(wú)法提供,且 INPUT1 降至低于 4.3V,那么 ON1 就斷開(kāi) MH1,且 /PWRGD1 變高,從而允許 ON2 接通 MH2,并將 INPUT2 連接到輸出。在任何情況下,理想二極管 MOSFET MD1 和 MD2 都要防止一個(gè)輸入到另一個(gè)輸入的反向饋送。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/147587.htm交換電源端和負(fù)載端的二極管和熱插拔 FET
LTC4225 允許采用背對(duì)背 MOSFET 的應(yīng)用將在電源端的 MOSFET 配置為理想二極管,在負(fù)載端的 MOSFET 配置為熱插拔控制器 (圖 4),反之亦然 (圖 6)。圖 6 中,在 MOSFET 的 GATE 和 SOURCE 引腳之間也許需要一個(gè)外部齊納二極管來(lái)箝位,以在 MOSFET 的柵源電壓額定值低于 20V 時(shí)防止 MOSFET 擊穿。無(wú)論是按照那安排,LTC4225 憑借理想二極管在 IN 和 OUT 引腳之間的“或”連接,都能平滑地在電源之間切換。
雙理想二極管和單熱插拔控制器
圖 7 顯示了 LTC4227 的應(yīng)用,其中檢測(cè)電阻器放置在并聯(lián)連接的雙電源理想二極管 MOSFET 之后,檢測(cè)電阻器之后是單個(gè)熱插拔 MOSFET。圖中,在故障超時(shí)之前,LTC4227 以 1x 電流限制調(diào)節(jié)過(guò)載輸出,而不像 LTC4225 二極管“或”應(yīng)用那樣是以 2x 電流限制。因此,在過(guò)載情況下,功耗降低了?! ?/p>
評(píng)論