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          采用ARM的PWM模塊的超聲波檢測(cè)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2012-07-02 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

           所研制的電路板可激發(fā)探頭產(chǎn)生0.5~10 MHz的,激勵(lì)脈沖電壓最高可達(dá)830 V,脈沖的上升時(shí)間小于50 ns。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/148812.htm

            3 基于脈沖的產(chǎn)生

            嵌入式處理器是具有極低功耗、極低成本的高性能處理器,運(yùn)算速度快、精度高,而且便于實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)的移植,真正成為實(shí)時(shí)多任務(wù)系統(tǒng)。S3C2440A內(nèi)嵌脈沖含4通道16位定時(shí)器,占空比、頻率、極性可編程,且具有自動(dòng)重載和雙緩沖功能。主頻FCLK最高達(dá)400M-Hz,APB總線設(shè)備使用的PCLK最高達(dá)68 MHz。具體過(guò)程為:首先,開(kāi)啟自動(dòng)重載功能,對(duì)脈沖的各個(gè)參數(shù)通過(guò)PWM寄存器進(jìn)行設(shè)置,如定時(shí)器配置寄存器(TCFGn),定時(shí)器控制寄存器(TCON),定時(shí)器計(jì)數(shù)緩存寄存器(TCNTBn),定時(shí)器比較緩存寄存器(TCMPBn),定時(shí)器計(jì)數(shù)觀察計(jì)數(shù)器(TCNTOn)等的設(shè)置。其次,設(shè)置相應(yīng)定時(shí)器的手動(dòng)更新位,然后設(shè)置開(kāi)始位,在等待時(shí)間后定時(shí)器開(kāi)始倒計(jì)數(shù),當(dāng)TCNTn和TCMPn的值相同時(shí),TOUTn的邏輯電平由低變?yōu)楦?。?dāng)TCNTn為0,TCNTn用TCNTBn的值自動(dòng)重載。如果要重新設(shè)置TCNTn的初始值,則要執(zhí)行手動(dòng)更新。

            通過(guò)使用TCMPBn來(lái)執(zhí)行PWM功能,PWM的頻率由TCNTBn來(lái)決定。雙緩沖功能允許對(duì)下個(gè)PWM周期在當(dāng)前PWM周期任意時(shí)間點(diǎn)由ISR或其他程序改寫(xiě)TCMPBn。

            4 高壓電源及其控制

            發(fā)射電路對(duì)激勵(lì)電壓脈沖要求較高,需要一定的幅值,而且脈沖寬度要求越小越好,且須有一定的發(fā)射功率,這決定了探傷的靈敏度,還關(guān)系到工件探傷的深度。如果要穿透較厚的工件,就需將較大的電功率轉(zhuǎn)換成聲功率。發(fā)射功率為:

            

            式中,uA0為電容放電時(shí)的瞬間電壓,C為電容容量,t為放電時(shí)間,

          為有效功率。

            當(dāng)放電時(shí)間常數(shù)確定后,放電時(shí)間和C即確定。所以加大發(fā)射電壓是提高發(fā)射功率的主要途徑,由放電電壓公式可知,除電路中的各個(gè)電阻影響外,高壓電源的電壓是一個(gè)主要因素。但電壓又不能太高,否則會(huì)使壓電晶片加速老化。一般發(fā)射電壓不超過(guò)1 800 V。

            這里美國(guó)Ultravoh公司的高壓電源。其中“V”系列的型號(hào)為1V12-P0.4電源,能完全滿足該的需求,其輸入電壓為12 V,輸出電壓為0~1 000 V,控制電壓為0~5 V,功率為0.4 W。低功耗、體積小、重量輕,并帶有輸出電壓監(jiān)測(cè)和自保護(hù)電路。高壓電源控制電路如圖3所示。

            

            微處理器輸出的控制信號(hào)經(jīng)D/A轉(zhuǎn)換后可輸出0~5 V的控制信號(hào)V2,相應(yīng)的高壓電源模塊即可輸出0~1 000 V的電壓。

            5 仿真及分析

            為驗(yàn)證本是否能滿足實(shí)驗(yàn)的需要,對(duì)電路進(jìn)行軟件仿真。因?yàn)閠=5τ1,約為500μs時(shí)認(rèn)為充電電容充滿,所以把開(kāi)關(guān)頻率設(shè)置為1kH-z。仿真結(jié)果如圖4和圖5所示。

            

            圖4中,高壓電源輸出為725V,R1=10 kΩ,R2=100 Ω,C=0.01μF,得到的激勵(lì)脈沖約為600 V,寬度為600 ns。此脈沖滿足本中超聲波頻率為2.5 MHz時(shí),探頭對(duì)激勵(lì)脈沖寬度的要求。

            圖5中,當(dāng)高壓電源輸出最大為1 000 V,R1=10 kΩ,R2=100 Ω,C=0.01μF時(shí),得到的激勵(lì)脈沖約為830 V,寬度為600 ns。

            由于帶充電電阻器的高壓直流電源效率不是很高,所以激勵(lì)脈沖的電壓也不能達(dá)到高壓電源的電壓。通過(guò)ARM微處理器發(fā)射不同頻率和占空比的控制脈沖,可以控制發(fā)射電路發(fā)射寬度和重復(fù)頻率可調(diào)的激勵(lì)脈沖。

            6 結(jié)論

            通過(guò)對(duì)發(fā)射電路工作原理以及各個(gè)元件作用的分析,得出了各個(gè)元件對(duì)超聲波所起的不同作用,以及ARM的PWM模塊如何對(duì)激勵(lì)脈沖寬度和重復(fù)頻率進(jìn)行調(diào)制。經(jīng)驗(yàn)證。該電路發(fā)射的超聲波功率、脈沖寬度和重復(fù)頻率均可調(diào)。能滿足多種檢測(cè)需求。

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