Zetex推出新型高效大功率MOSFET

模擬信號處理及功率管理解決方案供應商Zetex Semiconductors近日推出新一代溝道MOSFET，為 D類音頻輸出提供所需的大功率、最佳散熱效果和優(yōu)質音頻復制功能。

這些N溝道和P溝道器件的額定電壓為70V，設有SOT223和DPAK封裝，能夠保證平板電視、5.1環(huán)繞聲系統(tǒng)等大功率音頻應用安全而可靠的運行。這些器件適用于采用互補或全N溝道MOSFET配置的單端及橋接式負載輸出。

與60V器件相比，ZXMN/P7系列MOSFET具有更高的漏源極電壓，可為設計人員提供額外裕量，可適應電源及柵極振鈴的大幅度變化。這些器件的導通電阻非常低，在10V電壓下，N溝道和P溝道器件的典型導通電阻分別130 mΩ和160 mΩ，因此具有低損耗的特點，能夠實現(xiàn)高效的運行和理想的散熱效果。

該MOSFET將低導通電阻與快速切換及低柵電荷特性相結合，有助于優(yōu)化輸出效率。在設計完備的電路中，可以實現(xiàn)90%以上的效率。這些N溝道和P溝道的器件在10V運行條件下的關斷時間和柵極漏極電荷分別為17ns/1.8nC及35ns/3.6nC。
 
此外，新的MOSFET能妥善處理高漏極電流，可以為單獨的場效應管運行提供最大功率。由于該器件對柵極驅動的要求較低，因此在更高負載功率的應用中，可以采用平行設置的場效應管。N溝道器件采用SOT223和DPAK封裝，其最大漏極電流分別為3.8和6.1安培，而P溝道器件的分別為3.7和5.7安培。