JTAG接口在線燒寫Flash的實現(xiàn)
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Flash 的讀操作與傳統(tǒng)EPROM 讀操作相同。由于芯片使用軟件保護模式進行操作， 用戶編程時， 只要向指定的地址寫入指定的序列， 就可以啟動Flash 芯片內(nèi)部的寫狀態(tài)機， 完成指定的操作。表2 為Flash 的操作命令說明( 對芯片的擦除和編程都是按照字進行的)， 表中所有的數(shù)據(jù)都是十六進制數(shù)。
Flash 的正確操作順序： 先復(fù)位， 再擦除， 最后編程。
按照表2 提供的操作命令時序來實現(xiàn)對AM29LV800 的擦除和編程，PA 為編程地址，PD 為編程數(shù)據(jù)。Flash 擴展在CE1 空間， 起始地址是200000， 所以操作時所有地址必須加上200000。例如燒寫工程中擦除部分命令為：
表2 AM29LV800B 的操作命令說明
芯片擦除需要占用6 個總線周期， 而芯片編程需要4 個總線周期， 依照表3 的數(shù)據(jù)， 在每個總線周期對相應(yīng)地址寫入命令字就可以了。用戶一般都是對芯片進行寫操作， 寫操作只能使‘1’ 變‘0’ ， 而擦除只能使‘0’ 變?yōu)?lsquo;1’ 。圖3 為擦除和編程命令波形圖， 清楚地顯示了擦除和編程操作過程。
圖3 擦除和編程命令波形圖
判斷編程或擦除的結(jié)束是當把編程或擦除的命令字按照其時序?qū)懭隖lash 時， 在寫編程命令時序或擦除命令時序的最后一個WE 上升沿到來之后，AM29LV800會自動運行一個嵌入在Flash 內(nèi)部的算法來判斷編程或擦除操作是否結(jié)束。采用觸發(fā)位校驗的方法， 檢測數(shù)據(jù)切換位DQ6(Toggle Bit) 的狀態(tài)， 連續(xù)讀數(shù)據(jù)會使DQ6 的值在‘0’ 和‘1’ 之間來回切換， 當編程或擦除結(jié)束時，DQ6 就停止值的切換。因此， 可以通過連續(xù)兩次讀DQ6 的值來判斷編程或擦除是否結(jié)束， 當兩次讀得的值相同時， 說明編程或擦除結(jié)束， 否則沒有。觸發(fā)位檢測算法流程圖如圖4 所示。
圖4 觸發(fā)位檢測算法流程圖
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