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          鐵電存儲器FM18L08在DSP系統(tǒng)中的應(yīng)用

          作者: 時間:2011-08-11 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          1 引 言

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/150363.htm

            鐵電(FRAM)是Ramtron公司近年推出的一款掉電不揮發(fā),它結(jié)合了高性能和低功耗操作,能在沒有電源的情況下保存數(shù)據(jù)。FRAM克服了EEPROM和FLASH寫入時間長、擦寫次數(shù)低的缺點,其價格又比相同容量的不揮發(fā)鋰電SRAM低很多,已在地鐵、抄表及IT工業(yè)中得到了廣泛的。

            TMS320VC5402(以下簡稱C5402)是美國德州儀器公司(TI)推出的一款性價比極高的16bit定點數(shù)字信號處理器(),操作速率可達100MIPS,它豐富的內(nèi)部資源配置為用戶構(gòu)造提供了很大便利,已經(jīng)在通信、電子、圖象處理等領(lǐng)域得到了廣泛的。但是,C5402是RAM型器件,掉電后不能保持任何用戶信息,所以需要用戶把程序代碼放在不揮發(fā)的內(nèi),在系統(tǒng)上電時,通過執(zhí)行自行引導裝載(Bootloader)程序?qū)⒋鎯υ谕獠棵浇橹械拇a裝載到C5402高速的片內(nèi)存儲器或系統(tǒng)中的擴展存儲器內(nèi),裝載成功后自動去執(zhí)行代碼,完成自啟動?;趯嵺`經(jīng)驗,本文介紹了一種并行接口鐵電存儲器的特點,同時還分析了C5402 并行引導裝載模式的特點,給出了一種基于鐵電存儲器和C5402接口的設(shè)計方案, 實現(xiàn)了基于并行引導裝載模式的脫機獨立運行系統(tǒng)設(shè)計,并且該設(shè)計方案已成功的到一種語音門鎖系統(tǒng)中。

            2

            FRAM的特點 Ramtron’s FRAM存儲器技術(shù)的核心是微小的鐵電晶體集成到記憶體單元,以至于它能象快速的不揮發(fā)RAM一樣操作。當一個電場被加到鐵電晶體,中心原子順著電場的方向移動。 移去電場,中心原子保持不動,保存記憶體的狀態(tài), FRAM 記憶體不需要定期刷新,掉電后立即保存數(shù)據(jù)。 FM18L08是Ramtron公司近年推出的一款存儲容量為32kw8bits FRAM,其主要特點如下:3.0-3.65V單電源供電;并行接口;提供SOIC和DIP兩種封裝;功耗低,靜態(tài)電流小于15uA,讀寫電流小于10mA;非揮發(fā)性,掉電后數(shù)據(jù)能保存10年;讀寫無限次。 FM18L08引腳結(jié)構(gòu)如圖1: /CE:片選 /WE:寫使能 /OE:輸出使能 A0-A14:地址端 DQ0-DQ7:數(shù)據(jù)端 VDD:電源 VSS:地

            

          FM18L08引腳圖

            


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