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          ARM發(fā)布下一代DDR存儲(chǔ)解決方案

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          作者:電子產(chǎn)品世界 時(shí)間:2006-07-25 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏
          ARM [(LSE:ARM); (Nasdaq:ARMHY)]公司今天宣布擴(kuò)展了其Artisan®物理IP系列產(chǎn)品中的Velocity™ DDR存儲(chǔ)接口產(chǎn)品,以支持眾多特定應(yīng)用對(duì)SDRAM的要求。擴(kuò)展后的ARM® Velocity DDR產(chǎn)品和DDR、DDR2、Mobile DDR、GDDR3 SDRAM的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)相兼容,并支持領(lǐng)先代工廠的130納米、110納米、90納米和65納米的標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝。 

          ARM Velocity系列產(chǎn)品針對(duì)數(shù)據(jù)傳輸速度最高達(dá)800Mbps的主流個(gè)人電腦和服務(wù)器中的應(yīng)用。Velocity Mobile DDR解決方案針對(duì)低功耗應(yīng)用,GDDR3解決方案則針對(duì)數(shù)據(jù)傳輸速度最高達(dá)1600 Mbps的圖形存儲(chǔ)接口。Velocity DDR解決方案相對(duì)于以前的產(chǎn)品具有更小的體積和更低的抖動(dòng)幅度,這將繼續(xù)幫助用戶優(yōu)化其SoC設(shè)計(jì)的功耗和尺寸,同時(shí)縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。

          Azul Systems芯片工程部高級(jí)總監(jiān)Paul Koike表示:“ARM DDR產(chǎn)品幫助我們降低了復(fù)雜IP開(kāi)發(fā)的風(fēng)險(xiǎn);由于我們所有的接口和時(shí)鐘發(fā)生IP都是ARM開(kāi)發(fā)的,所以ARM DDR產(chǎn)品在Azul全部的SoC設(shè)計(jì)中都起到了至關(guān)重要的作用。我們一直努力降低設(shè)計(jì)的尺寸,我們相信ARM為90納米互聯(lián)I/O提供了最全面的產(chǎn)品?!?

          的復(fù)雜性和對(duì)更快的速度的需求正在要求一種不同于以往純數(shù)字方式的解決手段。目前,對(duì)于混合信號(hào)解決方案的需求越來(lái)越大,以解決類似信號(hào)和電壓完整性以及阻抗不連續(xù)性等問(wèn)題。ARM經(jīng)過(guò)芯片驗(yàn)證的 擴(kuò)展的Velocity DDR解決方案為可編程終端增加了on-die termination以提高信號(hào)完整性,并擁有先進(jìn)的動(dòng)態(tài)校準(zhǔn)和更高的DDR2輸入/輸出阻抗精度,確保更精確的阻抗匹配。除了這些對(duì)于先前的DDR產(chǎn)品的改進(jìn)之外,Velocity DDR解決方案還能夠方便的整合,使得設(shè)計(jì)師可以在每次設(shè)計(jì)中優(yōu)化功耗、尺寸和抖動(dòng)幅度,降低整體系統(tǒng)成本。

          ARM物理IP營(yíng)銷副總裁Neal Carney表示:“SoC設(shè)計(jì)師一直在尋找能夠降低風(fēng)險(xiǎn)、實(shí)現(xiàn)無(wú)縫整合并加快開(kāi)發(fā)速度的IP解決方案。ARM通過(guò)提供經(jīng)過(guò)芯片驗(yàn)證的、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的DDR存儲(chǔ)接口解決方案,幫助我們的客戶加快了產(chǎn)品上市時(shí)間,并使他們?cè)谄銼oC領(lǐng)域內(nèi)保持競(jìng)爭(zhēng)力。”

          經(jīng)過(guò)擴(kuò)展的ARM Velocity DDR解決方案也包括了一個(gè)全面的、按速度細(xì)分的產(chǎn)品類別,具有模擬計(jì)時(shí)的功能,例如用于數(shù)據(jù)眼(data eye)中央時(shí)鐘和DDR計(jì)時(shí)的特定應(yīng)用DLL。此外,特定應(yīng)用的 PLL也被包含在內(nèi),以產(chǎn)生精確的DDR系統(tǒng)時(shí)鐘信號(hào)。

          ARM同時(shí)也提供一系列支持SDRAM、DDR和Mobile DDR的PrimeCell® AMBA® 3 AXI™ 和 AMBA 2 AHB™動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)控制器,對(duì)于DDR2的支持也在研發(fā)之中。ARM目前可以為各種廣泛的應(yīng)用提供全面的、高性能的存儲(chǔ)控制器解決方案。

          ARM Velocity DDR存儲(chǔ)接口現(xiàn)已能夠以領(lǐng)先代工廠的130納米、110納米、90納米和65納米標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝提供。ARM PrimeCell AXI靜態(tài)存儲(chǔ)控制器系列和ARM PrimeCell AHB存儲(chǔ)控制器系列也可通過(guò)授權(quán)獲得。

          關(guān)于ARM
          ARM公司設(shè)計(jì)先進(jìn)的數(shù)字產(chǎn)品核心應(yīng)用技術(shù),應(yīng)用領(lǐng)域涉及:無(wú)線、網(wǎng)絡(luò)、消費(fèi)娛樂(lè)、影像、汽車電子、安全應(yīng)用及存儲(chǔ)裝置。ARM提供廣泛的產(chǎn)品,包括:16/32位RISC微處理器、數(shù)據(jù)引擎、三維圖形處理器、數(shù)字單元庫(kù)、嵌入式、外設(shè)、軟件、開(kāi)發(fā)工具以及模擬和高速連接產(chǎn)品。ARM公司協(xié)同眾多技術(shù)合作伙伴為業(yè)界提供快速、穩(wěn)定的完整系統(tǒng)解決方案。欲了解ARM公司詳情,請(qǐng)?jiān)L問(wèn)公司網(wǎng)站http://www.arm.com 或中文網(wǎng)站http://www.arm.com./chinese 。


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