TMS320C672x系列浮點DSP的EMIF研究與應用

Flash在讀操作中類似于普通的ROM，在寫操作中需要使用一些特殊命令字，按一定的順序編程，且可隨時編程，編程命令根據(jù)器件參考資料。對Flash的讀／寫流程如圖7所示。

由表1知，對Flash進行16位數(shù)據(jù)寫操作時每次偏移地址需要左移1位，即：*(short int*)(0x90000000+i*2)=shortint i：／／對Flash的i地址寫入16位數(shù)據(jù)i由于此Flash高位地址線為擴展的地址線，必然導致訪問Flash時地址不連續(xù)。每次只能連續(xù)訪問Flash內(nèi)部4 Kx16 Bit空間，即0x9000_0000～0x9000_1FFE。需要訪問高地址空間時，首先通過設置相應的GPIO引腳或者通過數(shù)據(jù)線利用CPLD設置Flash的相應高地址線；然后再分別操作低位地址線進行讀寫，便可完成對高地址空間的讀寫。

4 EMIF并行Flash自啟動
4．1 Flash自啟動過程
在實際應用中通常把代碼和數(shù)據(jù)表存放在外部的非易失性存儲器Flash中。TMS320C672X系列DSP片上的Bootloader工具只能將1KB的代碼搬移到內(nèi)部RAM。但是在通常情況下，用戶應用程序的大小都會超過1 KB，所以需要在外部Flash的前1 KB范圍內(nèi)預先存放一小段程序，待片上Bootloader工具把此段代碼搬移入內(nèi)部并開始執(zhí)行后，由此段代碼將Flash中剩余的用戶應用程序搬移入內(nèi)部RAM中。Flash中前1 KB代碼為二級Bootloader。系統(tǒng)上電或復位時，DSP內(nèi)部固化的啟動代碼會自動將位于Flash地址空間(0x90000000～0x9FFFFFFF)開頭的1 KB代碼傳輸?shù)絉AM存儲空間，這就是一次引導。很明顯，一次引導的代碼并不能滿足絕大多數(shù)編程者對代碼長度的要求，因此就需要二次引導過程。二次引導是將DSP一次引導的1 KB代碼編寫成一個搬移程序，搬移程序?qū)⒂脩舻闹鞒绦虬嵋频礁咚賀AM中，并且搬移完成后自動跳轉(zhuǎn)至主程序入口處運行主程序。由于硬件設計中Flash的地址不連續(xù)，因此對高位地址線的控制需要在搬移程序中實現(xiàn)。圖8為使用二級Bootloader的流程圖。

二級Bootloader代碼的編寫必須使用匯編語言，因為在執(zhí)行二級Bootloader時C的運行環(huán)境還未建立起來。
4．2 Flash的燒寫方法
應用程序和二次Boot編寫和編譯完成之后，便可使用TI公司提供的FlashBurn工具完成Flash燒寫，燒寫完成后需要重新上電或復位，便可實現(xiàn)自啟動。此FlashBurn工具雖然燒寫方法較為直觀，但是過程復雜，首先需要下載一個．out文件(FBTC)至DSP系統(tǒng)中，實現(xiàn)對Flash的操作；其次FlashBurn工具不能識別．out文件，只能接收．hex的十六進制文件，必須將．out文件轉(zhuǎn)換為．hex文件。
因此，用戶可以自己根據(jù)Flash器件的操作方法編寫燒寫程序，避免文件格式轉(zhuǎn)換的繁瑣。首先把用戶應用程序(包括二級Bootloader)編譯生成的．out文件轉(zhuǎn)載到DSP的RAM中，然后根據(jù)要求編寫Flash燒寫程序，把燒寫程序的．out文件裝載到DSP的另一塊區(qū)域(注意修改cmd文件中地址范圍，避免兩次裝載可能產(chǎn)生的地址覆蓋)，執(zhí)行程序完成Flash的燒寫。注意：燒寫到Flash中的應用程序前面12個字節(jié)用于存放_c _int00地址、應用程序字節(jié)數(shù)、應用程序在RAM中的起始地址，這12個字節(jié)需要在燒寫過程中添加。

5 結(jié)束語
本文主要研究了TMS320C672x系列DSP EMIF接口的功能和使用方法，并針對SDRAM和Flash器件討論了EMIF的具體硬件接口設計和軟件配置；同時分析了TMS320C672x系列的自啟動過程，提出了兩種燒寫Flash的方法。該應用方法經(jīng)實驗驗證，確實可行并易于實現(xiàn)。